公开(公告)号：CN114402090A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064516.6

申请日：2020-10-09

Applicant: 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  长谷川友和 ,  松平学幸

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/10

Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。

公开(公告)号：CN110291221B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201880006036.7

申请日：2018-01-30

Applicant: 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  堀口由纪夫 ,  菅原卓哉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，上述工序为：通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。

公开(公告)号：CN114402090B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202080064516.6

申请日：2020-10-09

Applicant: 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  长谷川友和 ,  松平学幸

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/10

Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。

公开(公告)号：CN114514335B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202080064503.9

申请日：2020-10-09

Applicant: 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  长谷川友和 ,  松平学幸

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室(2a)的内部的包含基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室(2a)的内部的包含蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板(S)上，并且在第1区域(A)中向基板(S)照射离子。

公开(公告)号：CN114514335A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080064503.9

申请日：2020-10-09

Applicant: 学校法人东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  宫内充祐 ,  大泷芳幸 ,  长谷川友和 ,  松平学幸

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室(2a)的内部的包含基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室(2a)的内部的包含蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板(S)上，并且在第1区域(A)中向基板(S)照射离子。

公开(公告)号：CN110291221A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880006036.7

申请日：2018-01-30

Applicant: 学校法人 ,  东海大学 ,  株式会社新柯隆

Inventor： 室谷裕志 ,  堀口由纪夫 ,  菅原卓哉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，上述工序为：通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。