膜及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103975259A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201280055737.2

    申请日:2012-11-12

    Abstract: 一种膜的制造方法,该方法能够制造干燥时的风致不均受到抑制、液晶取向良好、其它面状态也良好的膜;该制造方法具有将聚合性液晶组合物涂布于基板的涂布工序以及使所形成的涂布膜干燥的干燥工序,该聚合性液晶组合物含有(A)聚合性液晶化合物、(B)能够控制上述聚合性液晶化合物的取向的取向控制剂、(C)聚合引发剂和(D)溶剂;上述取向控制剂为下式所表示的化合物;相对于上述聚合性液晶化合物100质量份,添加0.005质量份~0.2质量份的上述取向控制剂(式中,L1和L2各自独立地表示具有氟原子取代基或不具有氟原子取代基的碳原子数为1~6的亚烷基。其中,亚烷基中的一个CH2或彼此不相邻的2个以上CH2被-O-、-S-、-OCO-、-COO-、-NRa-、-NRaCO-、-CONRa-、-NRaSO2-、或者-SO2NRa-替换或未被替换(Ra表示氢原子或碳原子数为1~5的烷基)。n1和n2各自独立地表示3以上的整数,此时括号内的结构存在有多个,该多个的结构彼此可以相同,也可以不同。)。

    相位差膜的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105074516A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201480019223.0

    申请日:2014-03-20

    CPC classification number: G02B5/3083 G02F1/13363 G02F2202/28

    Abstract: 本发明提供改善了支撑体与光学各向异性层之间的密合性以及液晶取向不良少的相位差膜的制造方法。相位差膜的制造方法包含以下工序:准备含有增塑剂和/或光学特性调整剂的带状支撑体的工序;在所述支撑体上涂布在溶解或溶胀所述支撑体的溶剂中溶解有棒状聚合性液晶化合物、取向控制剂和取向辅助剂的原料液,形成膜的涂布工序;通过干燥涂布在所述支撑体上的膜,形成使所述溶剂渗入到所述支撑体内部的涂膜的干燥工序;按照所述涂膜的内部温度达到使所述取向控制剂和所述取向辅助剂向所述涂膜表面移动的温度的方式,对所述涂膜加热的热处理工序;按照所述涂膜的内部温度达到将所述取向控制剂和所述取向辅助剂的位置固定的温度的方式进行冷却的冷却工序;和对所述涂膜照射活性放射线,将所述涂膜固化的固化工序。

    膜及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103975259B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201280055737.2

    申请日:2012-11-12

    Abstract: 一种膜的制造方法,该方法能够制造干燥时的风致不均受到抑制、液晶取向良好、其它面状态也良好的膜;该制造方法具有将聚合性液晶组合物涂布于基板的涂布工序以及使所形成的涂布膜干燥的干燥工序,该聚合性液晶组合物含有(A)聚合性液晶化合物、(B)能够控制上述聚合性液晶化合物的取向的取向控制剂、(C)聚合引发剂和(D)溶剂;上述取向控制剂为下式所表示的化合物;相对于上述聚合性液晶化合物100质量份,添加0.005质量份~0.2质量份的上述取向控制剂(式中,L1和L2各自独立地表示具有氟原子取代基或不具有氟原子取代基的碳原子数为1~6的亚烷基。其中,亚烷基中的一个CH2或彼此不相邻的2个以上CH2被-O-、-S-、-OCO-、-COO-、-NRa-、-NRaCO-、-CONRa-、-NRaSO2-、或者-SO2NRa-替换或未被替换(Ra表示氢原子或碳原子数为1~5的烷基)。n1和n2各自独立地表示3以上的整数,此时括号内的结构存在有多个,该多个的结构彼此可以相同,也可以不同。)。

    薄膜的制作方法及制作装置

    公开(公告)号:CN102892516A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201180018833.5

    申请日:2011-04-20

    CPC classification number: B05D1/36 H01L51/0004 H01L51/56 H01L2251/5346

    Abstract: 本发明提供因各层间的界面产生的能量障壁的影响得到缓和的层叠薄膜的制作方法。一种薄膜的制作方法,其包括以下工序:依次进行以下(1)~(3)而形成含有溶质A的下层的下层形成工序:(1)喷射将溶质溶解和/或分散到溶剂中而成的原料液而形成液滴,(2)使液滴中的溶剂挥发而浓缩,(3)将浓缩的液滴沉积到基板上或设置在基板上的薄膜上而形成薄膜;依次进行上述(1)~(3),在上述下层上,形成含有溶质B的上层的上层形成工序;以及在上述下层形成工序及上述上层形成工序之间,依次进行上述(1)~(3),形成含有溶质A及B的混合层的混合层形成工序。

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