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发明公开
蚀刻方法以及使用该方法制造半导体基板产品和半导体器件的方法无效

公开(公告)号：CN104428876A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036459.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 室祐继 , 上村哲也 , 稻叶正 , 渡边敬宏 , 朴起永

IPC: H01L21/306 , H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。

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