公开(公告)号：CN100536103C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200710180733.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 千叶修一 ,  石栗雅彦 ,  村田浩一 ,  渡边英二 ,  玉川道昭 ,  佐藤明 ,  户井田安司 ,  三泽和博

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种新颖、有用的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：在基板上形成衬垫电极的工序；在前述衬垫电极上接触探针来进行试验的工序；将因前述探针接触而产生的凹凸状的压痕平坦化的工序；在前述衬垫电极的表面，以覆盖被平坦化的前述凹凸状的压痕的方式形成导电膜的工序；通过电镀法，在前述衬垫电极上形成导电性基底膜的工序；在前述导电性基底膜上形成凸块电极的工序。