公开(公告)号：CN100536103C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200710180733.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 千叶修一 ,  石栗雅彦 ,  村田浩一 ,  渡边英二 ,  玉川道昭 ,  佐藤明 ,  户井田安司 ,  三泽和博

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种新颖、有用的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：在基板上形成衬垫电极的工序；在前述衬垫电极上接触探针来进行试验的工序；将因前述探针接触而产生的凹凸状的压痕平坦化的工序；在前述衬垫电极的表面，以覆盖被平坦化的前述凹凸状的压痕的方式形成导电膜的工序；通过电镀法，在前述衬垫电极上形成导电性基底膜的工序；在前述导电性基底膜上形成凸块电极的工序。

公开(公告)号：CN100477193C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510087915.1

申请日：2005-07-29

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 生云雅光 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/007 ,  H05K3/20 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及一种多层接线板，其包括多个接线板，其中，每一接线板中的接线层和树脂层以层叠形式交替设置；其中，多个接线板中除了一层预定树脂层之外，所有树脂层和接线层在多个接线板之间的切割区域分离并且隔开，其中该预定树脂层在该切割区域连续。

公开(公告)号：CN100524669C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。