公开(公告)号：CN100433314C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610005485.9

申请日：2006-01-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 玉川道昭 ,  南泽正荣

IPC: H01L23/433 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/055 ,  H01L23/373 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性和优异散热性的半导体器件，以及以低成本制造该半导体器件的方法。通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体，该含焊料碳构件具有如下结构：在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层，该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过将所述烧结体用于半导体元件与壳体之间的连接，可消除半导体元件发热过程中的热应力，同时保证高散热性。通过使用廉价焊料浸渍烧结体，可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层，可紧密结合半导体元件与壳体。因此，可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。

公开(公告)号：CN1893038A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610005485.9

申请日：2006-01-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 玉川道昭 ,  南泽正荣

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/055 ,  H01L23/373 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性和优异散热性的半导体器件，以及以低成本制造该半导体器件的方法。通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体，该含焊料碳构件具有如下结构：在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层，该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过将所述烧结体用于半导体元件与壳体之间的连接，可消除半导体元件发热过程中的热应力，同时保证高散热性。通过使用廉价焊料浸渍烧结体，可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层，可紧密结合半导体元件与壳体。因此，可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。

公开(公告)号：CN1440073A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN02147180.0

申请日：2002-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  南泽正荣 ,  渡边英二 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电气上连至安装端的导电层。

公开(公告)号：CN1855401A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。

公开(公告)号：CN1225783C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN02147180.0

申请日：2002-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  南泽正荣 ,  渡边英二 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电气上连至安装端的导电层。