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公开(公告)号：CN100367351C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁致电阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁致电阻薄膜。该磁致电阻磁头进一步包括位于所述磁致电阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁致电阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101046972A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091409.9
申请日：2007-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3169 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49021 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
Abstract: 本发明公开一种制造磁头的方法，包括步骤：在下电极的第一区域上方形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜的上表面上方形成有第一抗抛光膜，该第一抗抛光膜对于磁性材料具有抛光选择性；在下电极的包括第一区域的整个表面上方形成磁畴控制膜；利用第一抗抛光膜作为阻挡层，通过抛光去除磁阻效应膜上方的磁畴控制膜，以选择性地将磁畴控制膜保留在与第一区域相邻的第二区域中；去除第一抗抛光膜；以及在已去除第一抗抛光膜的磁阻效应膜上方形成上电极。
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公开(公告)号：CN1402224A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁阻薄膜。该磁阻磁头进一步包括位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1319900A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01103366.5
申请日：2001-02-02
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁传感器,其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件,至少一部分第一磁性层由Ni－Fe材料构成,以wt%计算的Ni含量XNi和以纳米表示的其厚度t满足上式表示的关系:其中,BBulk1=－53.78J/cm3,BBulk2=－0.6638J/cm3,BSurf1=1.7548×10－6J/cm2,BSurf2=－2.432×10－8J/cm2。还公开了一种包括磁头和磁记录介质的磁存储器,其中磁头使用根据本发明的磁传感器。
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