公开(公告)号：CN103219337A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210549401.3

申请日：2012-12-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石塚刚 ,  田代浩子

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L29/94

Abstract: 本申请涉及一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括电容器，该电容器包括：第一导电型的第一半导体区；布置在第一半导体区上的、第一导电型的第二半导体区，第二半导体区具有比第一半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第二半导体区上的、第一导电型的第三半导体区，第三半导体区包括接触区并且具有比第二半导体区更高的第一导电型杂质浓度；布置在第三半导体区上的介电膜；以及在接触区旁的、布置在介电膜上的上电极。

公开(公告)号：CN103178046A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210515002.5

申请日：2012-12-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田代浩子 ,  石塚刚

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66181

Abstract: 一种半导体器件，其包括半导体电路和电容器，该电容器包括：第一导电型第一半导体区域、设置在第一导电型第一半导体区域上并且具有比第一导电型第一半导体区域高的第一导电型杂质浓度的第一导电型第二半导体区域、设置在第一导电型第二半导体区域上的第二导电型半导体区域、设置在第二导电型半导体区域上的介质膜、设置在介质膜上的上电极、设置在第二导电型半导体区域上方并且电连接至第二导电型半导体区域的第一互连、以及电连接至上电极的第二互连。