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公开(公告)号:CN103219337A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201210549401.3
申请日:2012-12-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/94
Abstract: 本申请涉及一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括电容器,该电容器包括:第一导电型的第一半导体区;布置在第一半导体区上的、第一导电型的第二半导体区,第二半导体区具有比第一半导体区更高的第一导电型杂质浓度;布置在第二半导体区上的、第一导电型的第三半导体区,第三半导体区包括接触区并且具有比第二半导体区更高的第一导电型杂质浓度;布置在第三半导体区上的介电膜;以及在接触区旁的、布置在介电膜上的上电极。
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公开(公告)号:CN101370358A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810125676.8
申请日:2008-06-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K1/095 , H05K1/117 , H05K1/118 , H05K3/1283 , H05K3/249 , H05K2201/0129 , H05K2201/035 , H05K2201/2009 , H05K2203/0278 , H05K2203/1105
Abstract: 本发明涉及电路板、形成布线图案的方法及制造电路板的方法。在制造电路板时,使用由金属粉末和热塑性树脂形成的导电浆料在基板上印刷布线图案,然后对该导电浆料进行加热处理和加压处理。
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公开(公告)号:CN103178046A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201210515002.5
申请日:2012-12-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L29/66181
Abstract: 一种半导体器件,其包括半导体电路和电容器,该电容器包括:第一导电型第一半导体区域、设置在第一导电型第一半导体区域上并且具有比第一导电型第一半导体区域高的第一导电型杂质浓度的第一导电型第二半导体区域、设置在第一导电型第二半导体区域上的第二导电型半导体区域、设置在第二导电型半导体区域上的介质膜、设置在介质膜上的上电极、设置在第二导电型半导体区域上方并且电连接至第二导电型半导体区域的第一互连、以及电连接至上电极的第二互连。
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公开(公告)号:CN101370358B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200810125676.8
申请日:2008-06-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K1/095 , H05K1/117 , H05K1/118 , H05K3/1283 , H05K3/249 , H05K2201/0129 , H05K2201/035 , H05K2201/2009 , H05K2203/0278 , H05K2203/1105
Abstract: 本发明涉及电路板、形成布线图案的方法及制造电路板的方法。在制造电路板时,使用由金属粉末和热塑性树脂形成的导电浆料在基板上印刷布线图案,然后对该导电浆料进行加热处理和加压处理。
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