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公开(公告)号：CN1636258A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN01811491.1
申请日：2001-03-06
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B32B27/08 , B05D1/60 , B32B7/04 , B32B7/12 , B32B27/281 , B32B27/286 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/365 , B32B2307/41 , B32B2307/412 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2323/00 , B32B2369/00 , B32B2377/00 , B32B2457/20 , H01L51/5256 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31533 , Y10T428/31667 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 一种性能提高的高温衬底。该衬底是一种聚合物衬底，其玻态转变温度在约120℃以上，且在聚合物衬底附近有至少一个第一阻挡叠层。该阻挡叠层包含至少一个第一阻挡层和至少一个第一聚合物层。本发明还公开了一种制造性能有所提高的高温衬底的方法。
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公开(公告)号：CN100520538C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710153659.0
申请日：2001-03-08
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F1/167
CPC classification number: H01M2/08 , G02F2001/133337 , H01L23/562 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装的显示装置。该装置包括底衬、靠近该底衬的对环境敏感的显示装置和至少一个靠近该对环境敏感的显示装置的第一隔离叠层。该隔离叠层封装对环境敏感的该显示装置。该隔离叠层包括至少一个第一隔离层和至少一个第一聚合物层。该封装的显示装置可选择地包括至少一个位于底衬和对环境敏感的显示装置之间的第二隔离叠层。该第二隔离叠层包括至少一个第二隔离层和至少一个第二聚合物层。另外，还公开一种制造封装的显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN101131512A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710153659.0
申请日：2001-03-08
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F1/167
CPC classification number: H01M2/08 , G02F2001/133337 , H01L23/562 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装的显示装置。该装置包括底衬、靠近该底衬的对环境敏感的显示装置和至少一个靠近该对环境敏感的显示装置的第一隔离叠层。该隔离叠层封装对环境敏感的该显示装置。该隔离叠层包括至少一个第一隔离层和至少一个第一聚合物层。该封装的显示装置可选择地包括至少一个位于底衬和对环境敏感的显示装置之间的第二隔离叠层。该第二隔离叠层包括至少一个第二隔离层和至少一个第二聚合物层。另外，还公开一种制造封装的显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN1083301C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN96197266.1
申请日：1996-07-25
Applicant: 巴特勒记忆研究所
CPC classification number: B05D1/60 , H05K3/0091
Abstract: 公开了一种在真空下制备聚合物复合层的方法。具体地说，公开的方法包括把盐类溶于一种单体溶液中，溶液真空闪蒸蒸发，闪蒸蒸发后的溶液冷凝成液膜并将冷凝的液膜在底材上形成聚合物复合层。
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公开(公告)号：CN100365759C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN01811491.1
申请日：2001-03-06
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B32B27/08 , B05D1/60 , B32B7/04 , B32B7/12 , B32B27/281 , B32B27/286 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/365 , B32B2307/41 , B32B2307/412 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2323/00 , B32B2369/00 , B32B2377/00 , B32B2457/20 , H01L51/5256 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31533 , Y10T428/31667 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 一种性能提高的高温衬底。该衬底是一种聚合物衬底，其玻态转变温度在约120℃以上，且在聚合物衬底附近有至少一个第一阻挡叠层。该阻挡叠层包含至少一个第一阻挡层和至少一个第一聚合物层。本发明还公开了一种制造性能有所提高的高温衬底的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100346495C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN01808395.1
申请日：2001-03-08
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01M2/08 , G02F2001/133337 , H01L23/562 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装的显示装置。该装置包括底衬、靠近该底衬的对环境敏感的显示装置和至少一个靠近该对环境敏感的显示装置的第一隔离叠层。该隔离叠层封装对环境敏感的该显示装置。该隔离叠层包括至少一个第一隔离层和至少一个第一聚合物层。该封装的显示装置可选择地包括至少一个位于底衬和对环境敏感的显示装置之间的第二隔离叠层。该第二隔离叠层包括至少一个第二隔离层和至少一个第二聚合物层。另外，还公开一种制造封装的显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN1270374C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN01809531.3
申请日：2001-03-01
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L51/5256 , G02F2001/133337 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L51/448 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01M2/08 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装的微电子器件。该器件包括半导体基片、与半导体基片相邻的微电子器件以及与微电子器件相邻的至少一第一阻挡叠层件。该阻挡叠层件封装微电子器件，其包括至少一第一阻挡层和至少一聚合物层。所述封装的微电子器件可有选择地包括位于半导体基片与微电子器件之间的至少一第二阻挡层。所述第二阻挡层包括至少一第二阻挡层与至少一第二聚合物层。还公开了用于制造封装的微电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN1429412A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809531.3
申请日：2001-03-01
Applicant: 巴特勒记忆研究所
IPC: H01L51/20
CPC classification number: H01L51/5256 , G02F2001/133337 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L51/448 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01M2/08 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装的微电子器件。该器件包括半导体基片、与半导体基片相邻的微电子器件以及与微电子器件相邻的至少一第一阻挡叠层件。该阻挡叠层件封装微电子器件，其包括至少一第一阻挡层和至少一聚合物层。所述封装的微电子器件可有选择地包括位于半导体基片与微电子器件之间的至少一第二阻挡层。所述第二阻挡层包括至少一第二阻挡层与至少一第二聚合物层。还公开了用于制造封装的微电子器件的方法。
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