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公开(公告)号:CN1510723A
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN03164949.1
申请日:2003-06-03
Applicant: 希普雷公司
Inventor: D·A·格伦拜克 , M·K·加拉赫 , J·M·卡尔弗特 , G·P·普洛克珀维兹 , T·G·亚当斯
IPC: H01L21/312 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10T428/249987
Abstract: 提供用于沉积均匀、无针孔缺陷的有机聚硅氧烷涂层的方法,这些方法允许在集成电路生产中使用这些材料作为旋涂盖层。
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公开(公告)号:CN1312754C
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN03125579.5
申请日:2003-09-12
Applicant: 希普雷公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B2203/0315 , B81C2201/0108 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , Y10T428/24628 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中,牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料,留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明还提供了含有空气隙的结构。
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公开(公告)号:CN1495877A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03125579.5
申请日:2003-09-12
Applicant: 希普雷公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B2203/0315 , B81C2201/0108 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , Y10T428/24628 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中,牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料,留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明还提供了含有空气隙的结构。
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