公开(公告)号：CN114981954A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009151.1

申请日：2021-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈刚 ,  陈枫 ,  伊扎克·萨巴 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  吴智远 ,  许文静

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 描述一种微电子装置，该微电子装置包括形成在基板上的介电层、包括被限定在介电层中的间隙的特征、在介电层上的阻挡层、在阻挡层上的双金属衬里膜，和在双金属衬里上的间隙填充金属。多个实施方式提供一种形成包括在阻挡层上的双金属衬里膜的微电子装置的方法。

公开(公告)号：CN114930519A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008890.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  陈枫 ,  陈璐 ,  许文静 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  振雄·马修·蔡 ,  河泰泓 ,  亚历山大·詹森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。

公开(公告)号：CN114981926A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009162.X

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  沈刚 ,  呼宇飞 ,  陈枫 ,  河泰泓

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本文说明选择性沉积的方法。此外，也说明包括氨等离子体预清洁处理的改善选择性的方法。在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物而不会不利地影响介电表面。

公开(公告)号：CN114946019A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008711.1

申请日：2021-07-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  陈枫 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  陈璐 ,  吴智远

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了使用钌或掺杂钌衬垫和帽盖层的电子装置和形成电子装置的方法。具有钌层和钴层的衬垫形成在阻挡层上。导电填充物形成与第一导电线路接触的第二导电线路。