公开(公告)号：CN114981926A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009162.X

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许文静 ,  沈刚 ,  呼宇飞 ,  陈枫 ,  河泰泓

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本文说明选择性沉积的方法。此外，也说明包括氨等离子体预清洁处理的改善选择性的方法。在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物而不会不利地影响介电表面。

公开(公告)号：CN115004329A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080094059.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  大东和也 ,  雷雨 ,  吴典晔 ,  贾勒帕里·拉维

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质，和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。

公开(公告)号：CN114930508A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008580.7

申请日：2021-05-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  路雪松 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  安德鲁·阮 ,  龚则敬 ,  菲利普·A·克劳斯 ,  刘仲楠 ,  孙晖 ,  呼宇飞

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了一种清洁用于制造半导体装置的接面界面的处理，涉及在垂直分离的区域之间形成低电阻的电连接。可执行蚀刻以移除凹陷特征底部处的硅表面上的氧化硅。描述了用于蚀刻孔或沟槽底部处的氧化物同时最小化对底层的外延层和场上的介电层和金属栅极结构的转角的影响的方法和设备。用于蚀刻特征的方法涉及配备有电容耦合等离子体和电感耦合等离子体的组合的反应腔室。CHxFy气体和等离子体用于形成保护层，可通过NH3‑NF3等离子体使选择性蚀刻底部二氧化硅成为可能。理想情况下，EPI上的氧化硅被移除以确保低电阻的电接触，同时外延层和场/转角介电层仅被最少地蚀刻或完全不被蚀刻。

公开(公告)号：CN114946018A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008110.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  何达 ,  岑嘉杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些实施方式提供了用于在低温下沉积具有相对低粗糙度、应力及杂质水平的钨膜的方法。

公开(公告)号：CN115004336A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010141.X

申请日：2021-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  任河 ,  雷雨 ,  尤适 ,  大东和也

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。

公开(公告)号：CN114930520A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008907.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  大东和也 ,  杰拉尔丁·M·瓦斯奎兹 ,  何达 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨 ,  吴典晔

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

Abstract: 描述用于预清洁基板的方法，所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃，其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理，以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质，和/或修复电介质侧壁和/或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体，举例而言，直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。