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公开(公告)号：CN103917484A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280044812.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11
Abstract: 微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。
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公开(公告)号：CN103917484B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280044812.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11
Abstract: 微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。
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