公开(公告)号：TWI496756B

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：TW101133759

申请日：2008-11-27

Applicant: 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

Inventor： 馬叔強代尼卡 ,  MATTHEW JOHN DEJNEKA ,  亞當依利森 ,  ADAM JAMES ELLISON ,  希紐股枚茲 ,  SINUE GOMEZ ,  羅伯米企模瑞 ,  ROBERT MICHAEL MORENA

IPC: C03C3/093 ,  C03C4/00

公开(公告)号：TW201332931A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：TW101133759

申请日：2008-11-27

Applicant: 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

Inventor： 馬叔強代尼卡 ,  MATTHEW JOHN DEJNEKA ,  亞當依利森 ,  ADAM JAMES ELLISON ,  希紐股枚茲 ,  SINUE GOMEZ ,  羅伯米企模瑞 ,  ROBERT MICHAEL MORENA

IPC: C03C3/093 ,  C03C4/00

Abstract: 矽酸鹽玻璃包含：至少一種氧化鋁和氧化硼；和至少一種鹼金屬氧化物和鹼土金屬氧化物，其中-15%莫耳比≦(R2O+R'O-Al2O3-ZrO2)-B2O3≦4%莫耳比，R是Li、Na、K、Rb和Cs其中之一，而R'是Mg、Ca、Sr和Ba其中之一。

Abstract in simplified Chinese: 硅酸盐玻璃包含：至少一种氧化铝和氧化硼；和至少一种碱金属氧化物和碱土金属氧化物，其中-15%莫耳比≦(R2O+R'O-Al2O3-ZrO2)-B2O3≦4%莫耳比，R是Li、Na、K、Rb和Cs其中之一，而R'是Mg、Ca、Sr和Ba其中之一。

公开(公告)号：TWI361176B

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW095129839

申请日：2006-08-14

Applicant: 康寧公司

Inventor： 布思卡迪艾肯 ,  馬叔強代尼卡 ,  亞當節米奇馬埃力森 ,  湯姆艾得華包森

IPC: C03C

CPC classification number: C03C3/095

Abstract: 本發明為一系列稀土族金屬鋁矽酸鹽三元(RE2O3-Al2O3-SiO2)系統玻璃，其呈現出高應變點及低液相線溫度；優先地為La2O3-Al2O3-SiO2三元系統。玻璃為電子應用極佳之選擇材料以及組成份以玻璃原料氧化物莫耳百分比為計算基準包含：60-88% SiO2,5-25% Al2O3，及2-15% RE2O3。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为一系列稀土族金属铝硅酸盐三元(RE2O3-Al2O3-SiO2)系统玻璃，其呈现出高应变点及低液相线温度；优先地为La2O3-Al2O3-SiO2三元系统。玻璃为电子应用极佳之选择材料以及组成份以玻璃原料氧化物莫耳百分比为计算基准包含：60-88% SiO2,5-25% Al2O3，及2-15% RE2O3。

公开(公告)号：TW201020223A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW097146092

申请日：2008-11-27

Applicant: 康寧公司

Inventor： 馬叔強代尼卡 ,  亞當依利森 ,  希紐股枚茲 ,  羅伯米企模瑞

IPC: C03C

CPC classification number: C03C3/093 ,  C03C3/091 ,  C03C4/18 ,  C03C21/00 ,  C03C2204/00 ,  Y10T428/26

Abstract: 矽酸鹽玻璃包含:至少一種氧化鋁和氧化硼;和至少一種鹼金屬氧化物和鹼土金屬氧化物,其中-15%莫耳比≦(R2O+R'O-Al2O3-ZrO2)-B2O3≦4%莫耳比,R是Li,Na,K,Rb和Cs其中之一,而R'是Mg,Ca,Sr和Ba其中之一。

Abstract in simplified Chinese: 硅酸盐玻璃包含:至少一种氧化铝和氧化硼;和至少一种碱金属氧化物和碱土金属氧化物,其中-15%莫耳比≦(R2O+R'O-Al2O3-ZrO2)-B2O3≦4%莫耳比,R是Li,Na,K,Rb和Cs其中之一,而R'是Mg,Ca,Sr和Ba其中之一。

公开(公告)号：TWI459451B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW097141911

申请日：2008-10-30

Applicant: 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

Inventor： 卡夏普魯坦葛喀 ,  KISHOR PURUSHOTTAM GADKAREE ,  馬叔強代尼卡 ,  MATTHEW JOHN DEJNEKA ,  亞當依利森 ,  ADAM JAMES ELLISON

IPC: H01L21/30 ,  C03C27/00

CPC classification number: H01L21/187

公开(公告)号：TWI393688B

公开(公告)日：2013-04-21

申请号：TW097146092

申请日：2008-11-27

Applicant: 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

Inventor： 馬叔強代尼卡 ,  MATTHEW JOHN DEJNEKA ,  亞當依利森 ,  ADAM JAMES ELLISON ,  希紐股枚茲 ,  SINUE GOMEZ ,  羅伯米企模瑞 ,  ROBERT MICHAEL MORENA

IPC: C03C3/093 ,  C03C4/00

CPC classification number: C03C3/093 ,  C03C3/091 ,  C03C4/18 ,  C03C21/00 ,  C03C2204/00 ,  Y10T428/26

公开(公告)号：TWI343908B

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：TW094128338

申请日：2005-08-18

Applicant: 康寧公司

Inventor： 布思卡迪艾肯 ,  卡夏普魯坦葛喀 ,  林達魯平克尼 ,  馬叔強代尼卡

IPC: C03C ,  H01L

CPC classification number: H01L27/1203 ,  C03C3/06 ,  C03C3/085 ,  C03C3/095 ,  C03C3/097 ,  C03C3/11 ,  C03C10/00 ,  C03C10/0009 ,  C03C10/0018 ,  C03C10/0027 ,  C03C10/0036 ,  C03C10/0045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本發明係關於具有變形半導體層之半導體在絕緣體上結構。依據本發明一項實施例，半導體在絕緣體上結構具有包含半導體材料之第一層黏接至包含玻璃或玻璃陶瓷之第二層，玻璃或玻璃陶瓷應變點為等於或大於800℃。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于具有变形半导体层之半导体在绝缘体上结构。依据本发明一项实施例，半导体在绝缘体上结构具有包含半导体材料之第一层黏接至包含玻璃或玻璃陶瓷之第二层，玻璃或玻璃陶瓷应变点为等于或大于800℃。

公开(公告)号：TW201001501A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW097141911

申请日：2008-10-30

Applicant: 康寧公司

Inventor： 卡夏普魯坦葛喀 ,  馬叔強代尼卡 ,  亞當依利森

IPC: H01L ,  C03C

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: 本發明揭示出一種形成半導體在絕緣體上之方法以及裝置,其包括:讓施體單晶半導體晶片的植入表面接受離子植入處理過程以產生施體半導體晶片的剝蝕層;使用電解將此剝蝕層的植入表面接合到玻璃基板,其中至少玻璃基板的液相黏滯係數大約是100,000泊或更大。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示出一种形成半导体在绝缘体上之方法以及设备,其包括:让施体单晶半导体芯片的植入表面接受离子植入处理过程以产生施体半导体芯片的剥蚀层;使用电解将此剥蚀层的植入表面接合到玻璃基板,其中至少玻璃基板的液相黏滞系数大约是100,000泊或更大。