公开(公告)号：CN102858874B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180020759.0

申请日：2011-03-17

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·贝茨 ,  J·斯特拉恩 ,  C·埃利森

IPC: C08L53/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/265 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明涉及合成和使用无规交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为聚合交联的表面处理剂（PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有许多用途，包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用。

公开(公告)号：CN102870247A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020754.8

申请日：2011-03-17

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·贝茨 ,  J·斯特拉恩 ,  C·埃利森 ,  B·米勒

IPC: H01L51/40

CPC classification number: B05D3/107 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/16 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2051 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明描述含硅单体和共聚物的合成。单体三甲基-(2-亚甲基丁-3-烯基)硅烷（TMSI）的合成和随后具有苯乙烯二嵌段共聚物的合成，形成聚苯乙烯-嵌段-聚三甲基甲硅烷基异戊二烯，及合成二嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酰氧基甲基三甲基硅烷或PS-b-P(MTMSMA)。这些含硅二嵌段共聚物具有多种用途。一种优选的应用为作为用于光刻法的具有低于100nm的特征的新型压印模板材料。

公开(公告)号：CN106462055A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580020461.8

申请日：2015-03-13

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·艾里森 ,  M·马赫 ,  C·贝茨 ,  D·简斯

IPC: G03F7/00 ,  C09D153/00

Abstract: 有序化嵌段共聚物的方法包括形成具有第一优先模式的第一层；和在第一层的选择区域内提供反应性试剂，所述反应性试剂改性选择区域成第二优先模式，其中该选择区域界定保留第一优先模式的第一层的其他区域，进而形成嵌段共聚物的校准层。

公开(公告)号：CN102858874A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020759.0

申请日：2011-03-17

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·贝茨 ,  J·斯特拉恩 ,  C·埃利森

IPC: C08L53/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/265 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明涉及合成和使用无规交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为聚合交联的表面处理剂（PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有许多用途，包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用。