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公开(公告)号：CN101515549A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910118608.3
申请日：2005-01-03
Applicant: 微制造公司
IPC: H01L21/4763 , H01L21/288 , H01L21/304 , H01L21/463 , C25D5/02 , B24B53/00
Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构(98)(例如中尺寸或微尺寸结构)的工艺和装置，对于在电化学制造工艺期间平坦化的材料(如层)具有改进的终点检测和平行度保持。一些方法包括在平坦化期间使用固定设备，其确保了材料的平坦化平面在给定的容差之内平行于其它层。一些方法包括使用终点检测固定设备(292、294、296、298)，其确保了沉积材料相对于衬底(82)的初始表面、相对于第一沉积的层或相对于在制造工艺期间形成的其它层的精确高度。在一些实施例中，可通过精研进行平坦化，而其它实施例可使用金刚石飞刀切削机器(408)。
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公开(公告)号：CN100567581C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN03816039.0
申请日：2003-05-07
Applicant: 微制造公司
CPC classification number: B81C1/00126 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B81B2201/042 , B81C1/00476 , B81C2201/014 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C25D1/003 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00 , H01P11/005 , H05K3/4647
Abstract: 多层结构是由至少一种结构材料(例如，铜)和至少一种牺牲材料(例如，铜)电化学制造而成的，该至少一种结构材料构造为定义所期望的结构，且粘结到衬底上，该至少一种牺牲材料包围该所期望的结构。在形成该结构之后，通过多阶段蚀刻操作去除牺牲材料。在一些实施例中，要被去除的牺牲材料可以位于通道等中，或位于衬底上或位于附加的部件中。多阶段蚀刻操作可被清洁操作或屏障材料去除操作等分离开。通过与结构材料或衬底相接触可适当地固定多个屏障，或通过牺牲材料适当地单独固定它们，因此在去除了所有剩余的牺牲材料之后能自由地去除它们。
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公开(公告)号：CN101445945A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180741.7
申请日：2003-05-07
Applicant: 微制造公司
IPC: C25D1/00
CPC classification number: C25D1/003
Abstract: 本发明提供一种电化学制造结构的多步释放方法。多层结构是由至少一种结构材料(例如，铜)和至少一种牺牲材料(例如，铜)电化学制造而成的，该至少一种结构材料构造为定义所期望的结构，且粘结到衬底上，该至少一种牺牲材料包围该所期望的结构。在形成该结构之后，通过多阶段蚀刻操作去除牺牲材料。在一些实施例中，要被去除的牺牲材料可以位于通道等中，或位于衬底上或位于附加的部件中。多阶段蚀刻操作可被清洁操作或屏障材料去除操作等分离开。通过与结构材料或衬底相接触可适当地固定多个屏障，或通过牺牲材料适当地单独固定它们，因此在去除了所有剩余的牺牲材料之后能自由地去除它们。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1669177A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817237.2
申请日：2003-06-27
Applicant: 微制造公司
CPC classification number: H01P11/005 , B81B2201/0292 , B81C1/00126 , B81C2201/0109 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C25D1/003 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00
Abstract: 提供射频和微波辐射导引或控制元件，其可为单片集成的、可由多项电沉积操作和/或由多个沉积层材料形成、可包括开关、电感器、天线、传输线、滤波器、混合耦合器、天线阵列和/或其它有源或无源元件。元件可包括可用来分离牺牲材料与结构材料的非辐射进入和非辐射离开通路。较佳的形成工艺使用电化学制造技术(例如包括选择性沉积、体块沉积、蚀刻操作及平坦化操作)以及后沉积工艺(例如选择性蚀刻操作和/或回填操作)。
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公开(公告)号：CN1665964A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03816039.0
申请日：2003-05-07
Applicant: 微制造公司
CPC classification number: B81C1/00126 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B81B2201/042 , B81C1/00476 , B81C2201/014 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C25D1/003 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01P1/202 , H01P3/06 , H01P5/183 , H01P11/00 , H01P11/005 , H05K3/4647
Abstract: 多层结构是由至少一种结构材料(例如，铜)和至少一种牺牲材料(例如，铜)电化学制造而成的，该至少一种结构材料构造为定义所期望的结构，且粘结到衬底上，该至少一种牺牲材料包围该所期望的结构。在形成该结构之后，通过多阶段蚀刻操作去除牺牲材料。在一些实施例中，要被去除的牺牲材料可以位于通道等中，或位于衬底上或位于附加的部件中。多阶段蚀刻操作可被清洁操作或屏障材料去除操作等分离开。通过与结构材料或衬底相接触可适当地固定多个屏障，或通过牺牲材料适当地单独固定它们，因此在去除了所有剩余的牺牲材料之后能自由地去除它们。
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公开(公告)号：CN100481356C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580005553.5
申请日：2005-01-03
Applicant: 微制造公司
IPC: H01L21/4763 , C25D5/02 , B24B53/00
Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构(98)(例如中尺寸或微尺寸结构)的工艺和装置，对于在电化学制造工艺期间平坦化的材料(如层)具有改进的终点检测和平行度保持。一些方法包括在平坦化期间使用固定设备，其确保了材料的平坦化平面在给定的容差之内平行于其它层。一些方法包括使用终点检测固定设备(292、294、296、298)，其确保了沉积材料相对于衬底(82)的初始表面、相对于第一沉积的层或相对于在制造工艺期间形成的其它层的精确高度。在一些实施例中，可通过精研进行平坦化，而其它实施例可使用金刚石飞刀切削机器(408)。
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公开(公告)号：CN1922723A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005553.5
申请日：2005-01-03
Applicant: 微制造公司
IPC: H01L21/4763 , C25D5/02 , B24B53/00
Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构(98)(例如中尺寸或微尺寸结构)的工艺和装置，对于在电化学制造工艺期间平坦化的材料(如层)具有改进的终点检测和平行度保持。一些方法包括在平坦化期间使用固定设备，其确保了材料的平坦化平面在给定的容差之内平行于其它层。一些方法包括使用终点检测固定设备(292、294、296、298)，其确保了沉积材料相对于衬底(82)的初始表面、相对于第一沉积的层或相对于在制造工艺期间形成的其它层的精确高度。在一些实施例中，可通过精研进行平坦化，而其它实施例可使用金刚石飞刀切削机器(408)。
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公开(公告)号：CN1692181A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03815822.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 微制造公司
Abstract: 在一些实施例中，从至少一种结构材料(例如，镍)、至少一种牺牲材料(例如，铜)和至少一种密封材料(例如，焊接剂)以电化学方式制造多层结构。在一些实施例中，使该分层结构具有所期望的结构：其至少部分和紧挨地被牺牲材料包围，牺牲材料依次几乎完全被结构材料包围。包围的结构材料包括位于其表面中的开口，穿过开口蚀刻剂能侵蚀和去除在其中所发现的条状的牺牲材料。密封材料位于开口附近。在去除牺牲材料之后，盒子被排空或被用所期望的气体或液体填充。此后，使密封材料流动，密封开口，并重新凝固。在其它实施例中，增加了后层形成盖子或其它屏蔽罩形成结构。
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