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公开(公告)号：CN101333068B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810144666.9
申请日：2008-06-30
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： J·A·哈特休克 , I·米利塞维克 , M·J·N·范斯特拉伦 , R·H·M·德克尔斯 , M·科斯滕
IPC: C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/23
Abstract: 本发明涉及一种通过气相沉积工艺制备光纤预制件的方法，其中建立等离子体条件且其中等离子体沿空心基管的纵轴在空心基管靠近输入侧的反转点和靠近排放侧的反转点之间前后移动，其中在一相沉积和另一相沉积之间进行过渡沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101333067B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200810127354.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： J·A·哈特休克 , I·米利塞维克 , M·J·N·范斯特拉伦 , R·H·M·德克尔斯 , M·科斯滕
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B37/01815 , C03B2201/12 , C03B2201/31
Abstract: 本发明涉及一种方法，用于通过气相沉积工艺来制造光纤预制件，其中在一个沉积阶段和下一个或多个沉积阶段之间执行中间步骤，该中间步骤包括向中空衬底管的供给侧提供蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN101293734B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810109234.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： R·H·M·德克斯 , M·科斯滕 , R·M·M·克雷默斯 , K·德永格赫
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种制造预制件以及由此获得的光纤的方法，其中基管的供给侧附近的反转点的位置在沉积工艺的至少一部分期间沿基管的纵向轴移动。
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公开(公告)号：CN101333068A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810144666.9
申请日：2008-06-30
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： J·A·哈特休克 , I·米利塞维克 , M·J·N·范斯特拉伦 , R·H·M·德克尔斯 , M·科斯滕
IPC: C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/23
Abstract: 本发明涉及一种通过气相沉积工艺制备光纤预制件的方法，其中建立等离子体条件且其中等离子体沿空心基管的纵轴在空心基管靠近输入侧的反转点和靠近排放侧的反转点之间前后移动，其中在一相沉积和另一相沉积之间进行过渡沉积。
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公开(公告)号：CN101333067A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810127354.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： J·A·哈特休克 , I·米利塞维克 , M·J·N·范斯特拉伦 , R·H·M·德克尔斯 , M·科斯滕
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B37/01815 , C03B2201/12 , C03B2201/31
Abstract: 本发明涉及一种方法，用于通过气相沉积工艺来制造光纤预制件，其中在一个沉积阶段和下一个或多个沉积阶段之间执行中间步骤，该中间步骤包括向中空衬底管的供给侧提供蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN101293734A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810109234.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 德雷卡通信技术公司
Inventor： R·H·M·德克斯 , M·科斯滕 , R·M·M·克雷默斯 , K·德永格赫
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0183 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种制造预制件以及由此获得的光纤的方法，其中基管的供给侧附近的反转点的位置在沉积工艺的至少一部分期间沿基管的纵向轴移动。
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