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公开(公告)号：CN113003533A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011518882.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及利用抗反射表面制造具有可倾斜结构的光学微机电设备的工艺。为了制造光学微机电设备，加工具有第一表面和第二表面的半导体材料的第一晶片，以形成悬挂镜结构、围绕悬挂镜结构的固定结构、在固定结构与悬挂镜结构之间延伸的弹性支撑元件、以及耦接到悬挂镜结构的致动结构。第二晶片被单独加工，以形成由底壁界定的室，该底壁具有贯通开口。第二晶片以如下方式被接合到第一晶片的第一表面，该方式使得室覆盖在致动结构上，并且贯通开口与悬挂镜结构对准。此外，第三晶片被接合到第一晶片的第二表面，以形成复合晶片设备。该复合晶片设备然后被切割以形成光学微机电设备。
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公开(公告)号：CN109454995A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN108249387B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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公开(公告)号：CN108249387A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710500966.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/0083 , B81B2201/032 , B81B2201/042 , B81B2203/0307 , B81B2203/058 , B81C1/00714 , B81C2203/032 , G02B26/105
Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。
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公开(公告)号：CN108732743B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810355632.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及振荡结构、光学设备以及制造振荡结构的方法。一种振荡结构，包括限定了旋转轴的第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件以及插入在第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件之间的移动元件。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于第一平面中并且彼此不直接接触。耦合结构将移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件机械地耦合在一起。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于不同于第一平面的第二平面中。移动元件的振荡由于第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件的扭曲而发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105562237B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件以及制造微流体器件的方法。微流体器件具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN108732743A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810355632.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , G02B26/08 , G02B26/0816 , G02B26/10 , G02B26/105
Abstract: 本申请涉及振荡结构、光学设备以及制造振荡结构的方法。一种振荡结构，包括限定了旋转轴的第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件以及插入在第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件之间的移动元件。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于第一平面中并且彼此不直接接触。耦合结构将移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件机械地耦合在一起。移动元件、第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件位于不同于第一平面的第二平面中。移动元件的振荡由于第一扭转弹性元件和第二扭转弹性元件的扭曲而发生。
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公开(公告)号：CN109454995B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811204454.5
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN105562237A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B05B9/03 , B05C5/001 , B81C1/00047 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C3/001 , B81C2201/0111 , B81C2201/013 , B81C2203/03
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN205416751U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201520865018.8
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件，该微流体器件包括：喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴；腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层；腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通；流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。
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