公开(公告)号：CN114792675A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210079082.8

申请日：2022-01-24

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·格拉齐奥斯 ,  A·桑纳 ,  R·维拉

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22 ,  H01Q21/00

Abstract: 封装内天线半导体装置包括耦联到平面衬底上的半导体芯片。包封体包封该半导体芯片。包封体包括延伸到平面衬底的贯通腔体。直导线天线安装在贯通腔体内，并且例如从平面衬底沿着横向于平面衬底的表面的轴线延伸，半导体芯片耦联到所述表面。直导线天线电耦联到半导体芯片。绝缘材料填充该腔体以包封所述直导线天线。

公开(公告)号：CN117012652A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310478688.3

申请日：2023-04-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·维拉

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和相应的半导体器件。半导体芯片或管芯设置在诸如引线框的衬底的导热管芯焊盘的第一表面上。将绝缘材料的封装模制到具有布置在第一表面上的半导体管芯的管芯焊盘上。在管芯衬焊盘的与第一表面相对的第二表面处，封装在管芯衬焊盘上在围绕管芯衬焊盘的边界线处接界。例如通过激光烧蚀在管芯焊盘周围的边界线处提供封装的凹陷部分。诸如金属材料的导热材料填充在管芯焊盘周围的封装的凹陷部分中。通过在封装的凹陷部分中填充导热材料来增大导热管芯焊盘的表面区域，从而改善器件的热性能。

公开(公告)号：CN115547841A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210758261.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·维拉 ,  M·德桑塔

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。半导体芯片以引线框架的形式被布置在衬底上方。被配置为导电条带的一组载流构成耦接到半导体芯片。衬底不包括用于将导电条带彼此电耦接的导电构成。例如，经由楔形接合在邻近导电条带之间形成电触点，以使得在邻近导电条带之间提供触点以支持多构成载流通道。

公开(公告)号：CN218123353U

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202221662153.9

申请日：2022-06-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·维拉 ,  M·德桑塔

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本实用新型的各个实施例涉及半导体器件。半导体芯片以引线框架的形式被布置在衬底上方。被配置为导电条带的一组载流构成耦接到半导体芯片。衬底不包括用于将导电条带彼此电耦接的导电构成。例如，经由楔形接合在邻近导电条带之间形成电触点，以使得在邻近导电条带之间提供触点以支持多构成载流通道。

公开(公告)号：CN220510010U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321010587.5

申请日：2023-04-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·维拉

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：半导体管芯，布置在衬底的导热管芯焊盘的第一表面上，导热管芯焊盘具有与第一表面相对的第二表面；封装，被模制到导热管芯焊盘上，导热管芯焊盘具有布置在第一表面上的半导体管芯；其中，在导热管芯焊盘的第二表面处，封装具有围绕导热管芯焊盘的封装的凹陷部分；以及导热部件，在封装的凹陷部分中；其中导热管芯焊盘在第二表面处的表面区域由封装的凹陷部分中的导热部件增大。利用本公开的实施例能够有利地改善器件的热性能。

公开(公告)号：CN217182183U

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202220185507.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·格拉齐奥斯 ,  A·桑纳 ,  R·维拉

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01Q1/22 ,  H01Q21/00

Abstract: 本公开的实施例涉及一种半导体装置。封装内天线半导体装置包括：平面衬底，具有第一主表面；半导体芯片，被安装到所述平面衬底的所述第一主表面；第一包封材料，形成包封体，所述包封体包封被耦联到所述衬底的所述半导体芯片，所述包封体包括穿过所述包封体延伸到所述平面衬底的腔体；直导线天线，被安装在所述腔体内；其中所述直导线天线具有横向于所述平面衬底的所述第一主表面延伸的天线轴线；其中所述直导线天线电耦联到所述半导体芯片；以及第二包封材料，填充所述腔体以包封所述直导线天线。