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公开(公告)号：CN107532287B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201680023081.4
申请日：2016-05-17
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种钽溅射靶，其中，在使用背散射电子衍射法对作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND进行观察时，{111}面沿ND取向的晶粒的面积率为35％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射的情况下，通过增强溅射物质的直进性，能够在晶片面上将溅射物质均匀地成膜的钽溅射靶。在使用这样的钽靶进行溅射的情况下，即使对于微细布线而言也能够提高膜厚的均匀性和成膜的生产能力。
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公开(公告)号：CN107109634B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680004783.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。
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公开(公告)号：CN107532287A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023081.4
申请日：2016-05-17
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种钽溅射靶，其中，在使用背散射电子衍射法对作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND进行观察时，{111}面沿ND取向的晶粒的面积率为35％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射的情况下，通过增强溅射物质的直进性，能够在晶片面上将溅射物质均匀地成膜的钽溅射靶。在使用这样的钽靶进行溅射的情况下，即使对于微细布线而言也能够提高膜厚的均匀性和成膜的生产能力。
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公开(公告)号：CN107109634A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004783.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。
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