公开(公告)号：CN114959594B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202111358250.9

申请日：2021-11-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 宗安慧 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。

公开(公告)号：CN118272696A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410397924.3

申请日：2018-08-03

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介

IPC: C22C9/04 ,  C22C9/02 ,  C22C9/06 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供一种弯曲性和耐软化特性均优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。一种柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量％以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，分别单独或两种以上含有以下的元素：0.0005质量％以上且0.03质量％以下的P、0.0005以上且0.05质量％以下的Ag、0.0005质量％以上且0.14质量％以下的Sb、0.0005质量％以上且0.163质量％以下的Sn、0.0005质量％以上且0.288质量％以下的Ni、0.0005质量％以上且0.058质量％以下的Be、0.0005质量％以上且0.812质量％以下的Zn、0.0005质量％以上且0.429质量％以下的In、和0.0005质量％以上且0.149质量％以下的Mg，所述铜箔的半软化温度为160～300℃，以轧制面的通过X射线衍射求出的(200)面的强度为I、以微粉铜的通过X射线衍射求出的强度为I0时，(I/I0)为3.0以下。

公开(公告)号：CN117881802A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202180101871.0

申请日：2021-08-27

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 本村龙也 ,  神野洋平

IPC: C22B9/05 ,  C22B15/00

Abstract: 根据本发明的熔炼炉的特征在于包括：第一反应区，在所述第一反应区中装载了包含粉末形式精矿的第一装载料，并且其中所述精矿被含氧气体氧化并且被允许以液滴形式向下落下；和第二反应区，所述第二反应区具有用于容纳通过所述液滴的落下而获得的熔融金属的保持容器，所述第二反应区使得除所述精矿以外的原料作为第二装载料被装载到所述熔融金属中，并且使所述第二装载料通过所述熔融金属中的冰铜的氧化热或燃料燃烧火焰而熔融，并且所述第二反应区位于在所述第一反应区下方且相对于所述第一反应区在所述熔融金属流的上游侧的位置。

公开(公告)号：CN117551910A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311529623.3

申请日：2018-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 中妻宗彦

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01B13/00 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明涉及Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制造方法。本发明提供使强度提高且适度抑制污物的产生、与树脂的密合性优异的Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制造方法。本发明的Cu‑Ni‑Si系铜合金条，其含有Ni：1.5～4.5质量％、Si：0.4～1.1质量％，且余量由Cu和不可避免的杂质组成，导电率为30％IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，使其在室温下在40wt％硝酸水溶液中浸渍10秒后，JIS‑Z8781:2013所规定的L*a*b*表色系中的亮度L*为50～75。

公开(公告)号：CN116716494A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310699014.6

申请日：2017-05-12

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 中岛宏太 ,  吉村昭 ,  谷诚一郎

IPC: C22B59/00 ,  C22B34/14 ,  C22B34/22 ,  C22B34/24 ,  C22B34/12 ,  C22B3/10 ,  C22B3/38 ,  B07B1/46 ,  B07B1/00

Abstract: 本发明涉及稀有金属回收方法。一种从钛炼制中的氯化残渣中回收稀有金属的方法，其中，该方法包括如下工序：将所述氯化残渣分级成粗粒和细粒的工序；和回收所述细粒的工序，所述稀有金属是从Sc、V、Nb、Zr、Y、La、Ce、Pr和Nd中选择的至少一种以上的金属。

公开(公告)号：CN116547397A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180079084.0

申请日：2021-10-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 后田智也 ,  河村寿文

IPC: C22B21/00

Abstract: 本发明提供能够通过中和使溶液中的铝离子以及铁离子有效地析出并使其析出物比较容易地分离的锂离子电池废弃物的处理方法。一种处理锂离子电池废弃物的方法，包括：浸出工序，使从锂离子电池废弃物得到且至少包含铝以及铁的电池粉在酸中浸出，并通过固液分离将浸出残渣去除，得到至少包含铝离子以及铁离子的浸出后液；以及中和工序，向所述浸出后液添加磷酸和/或磷酸盐、以及氧化剂，并使pH上升至2.0～3.5的范围内，而使所述浸出后液中的铝离子以及铁离子分别作为磷酸铝以及磷酸铁析出，并通过固液分离将中和残渣去除而得到中和后液。

公开(公告)号：CN110129744B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201910337427.3

申请日：2012-04-27

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 塚本志郎 ,  牧野修仁 ,  福岛笃志 ,  八木和人 ,  日野英治

IPC: C23C14/34 ,  C25C3/28

Abstract: 一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有0.5～5质量ppm的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上。本发明的课题在于提供一种即使在高功率溅射(高速溅射)时也不会产生龟裂或破裂、能够使溅射特性稳定的高品质的溅射用钛靶。

公开(公告)号：CN109312369B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780035213.X

申请日：2017-06-06

Applicant: 学校法人芝浦工业大学 ,  捷客斯金属株式会社

Inventor： 山下光雄 ,  三浦彰

IPC: C12N7/01 ,  C22B34/34 ,  C07K7/08 ,  C12N15/09 ,  C12P3/00

Abstract: (要解决的技术问题)提供一种用于选择钼的矿物的方法。(用于解决问题的手段)包含用于分离含钼物质的M13噬菌体的组合物。

公开(公告)号：CN110709368B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201880036770.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 三上充 ,  山崎芳树

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/505 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80

Abstract: 一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。另外，一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于5mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。本发明的实施方式的课题在于提供一种大型且透明的多晶YAG烧结体及其制造方法。

公开(公告)号：CN114752901A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210337974.3

申请日：2016-12-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 挂野崇

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种氧化铟‑氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。