公开(公告)号：CN108884557B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201780020247.1

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种氧化物粒子分散型强磁性材料溅射靶，其具有能够有效地减少由氧化物粒子引起的异常放电、粉粒产生的微细结构。在以金属或合金的形式含有0摩尔％以上且45摩尔％以下的Pt、55摩尔％以上且95摩尔％以下的Co、0摩尔％以上且40摩尔％以下的Cr，还含有至少两种以上氧化物的烧结体溅射靶中，使得氧化物存在于金属或合金中，且氧化物的个数密度的标准偏差为2.5以下。

公开(公告)号：CN109844167A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780063272.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁性材料溅射靶，其含有熔点为500℃以下的氧化物，其特征在于，在该溅射靶的溅射面中，粒径为10μm以上的氧化物的平均个数密度为5个/mm2以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶能够有效地减少由溅射靶中的氧化物、特别是粗大生长的氧化物引起的异常放电、粉粒的产生。

公开(公告)号：CN109844167B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201780063272.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁性材料溅射靶，其含有熔点为500℃以下的氧化物，其特征在于，在该溅射靶的溅射面中，粒径为10μm以上的氧化物的平均个数密度为5个/mm2以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶能够有效地减少由溅射靶中的氧化物、特别是粗大生长的氧化物引起的异常放电、粉粒的产生。

公开(公告)号：CN108884557A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780020247.1

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种氧化物粒子分散型强磁性材料溅射靶，其具有能够有效地减少由氧化物粒子引起的异常放电、粉粒产生的微细结构。在以金属或合金的形式含有0摩尔％以上且45摩尔％以下的Pt、55摩尔％以上且95摩尔％以下的Co、0摩尔％以上且40摩尔％以下的Cr，还含有至少两种以上氧化物的烧结体溅射靶中，使得氧化物存在于金属或合金中，且氧化物的个数密度的标准偏差为2.5以下。