公开(公告)号：CN106133185B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201580016385.3

申请日：2015-03-12

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 大桥一允 ,  小田国博

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C19/03 ,  G11B5/851

Abstract: 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。

公开(公告)号：CN106133185A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016385.3

申请日：2015-03-12

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 大桥一允 ,  小田国博

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C19/03 ,  G11B5/851

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15 ,  B22F5/003 ,  B22F9/082 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/03 ,  C23C14/14 ,  G11B5/647 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491 ,  B22F3/14

Abstract: 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。