公开(公告)号：CN108291295A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201780003924.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小田国博 ,  宫田千荣

IPC: C23C14/34 ,  C22C14/00 ,  C22C27/02

Abstract: 一种Ti-Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。

公开(公告)号：CN108291295B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201780003924.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小田国博 ,  宫田千荣

IPC: C23C14/34 ,  C22C14/00 ,  C22C27/02

Abstract: 一种Ti‑Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。