公开(公告)号：CN106164329B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201580016432.4

申请日：2015-02-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C30/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 一种Al‑Te‑Cu‑Zr合金溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％的Te、5原子％～20原子％的Cu、5原子％～15原子％的Zr，剩余部分包含Al，并且在靶组织中不存在Te相、Cu相和CuTe相。本发明的课题在于提供一种可以有效地抑制溅射时的粉粒产生、结瘤产生等、并且可以减少靶中所含的氧的Al‑Te‑Cu‑Zr合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN110073029A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201780077077.0

申请日：2017-12-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/111

Abstract: 一种Al2O3溅射靶，其特征在于，所述Al2O3溅射靶的纯度为99.99重量％以上、相对密度为85％以上且95％以下、体积电阻率为10×1014Ω·cm以下、介质损耗角正切为15×10-4以上。本发明的课题在于，提供一种具有良好的溅射特性的Al2O3溅射靶、特别是即使不提高溅射功率也能够提高成膜速率的Al2O3溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN105917021B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580004783.3

申请日：2015-02-20

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。

公开(公告)号：CN106795622B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201580053709.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  C22C1/04 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22F1/00

Abstract: 一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。本发明的课题在于提供一种有效地抑制了由组成偏差引起的特性劣化的Al‑Te‑Cu‑Zr基合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN106795622A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053709.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  C22C1/04 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22F1/00

Abstract: 一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。本发明的课题在于提供一种有效地抑制了由组成偏差引起的特性劣化的Al‑Te‑Cu‑Zr基合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN106164329A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016432.4

申请日：2015-02-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C30/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22D7/005 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22F9/22 ,  B22F2201/013 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/205 ,  B22F2304/058 ,  B22F2304/10 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C23C14/14 ,  G11B9/04 ,  H01L45/04 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种Al‑Te‑Cu‑Zr合金溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％的Te、5原子％～20原子％的Cu、5原子％～15原子％的Zr，剩余部分包含Al，并且在靶组织中不存在Te相、Cu相和CuTe相。本发明的课题在于提供一种可以有效地抑制溅射时的粉粒产生、结瘤产生等、并且可以减少靶中所含的氧的Al‑Te‑Cu‑Zr合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN105917021A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004783.3

申请日：2015-02-20

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Sb?Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb?Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。