磁性材料溅射靶
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114807874A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210309573.7

    申请日:2015-03-13

    Abstract: 本发明涉及磁性材料溅射靶。一种溅射靶,其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶,其特征在于,非磁性相含有0.1~40摩尔%的C,所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶,其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间,并且在溅射时可得到稳定的放电。

    溅射靶
    2.
    发明公开
    溅射靶 审中-实审

    公开(公告)号:CN112695273A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202011397506.2

    申请日:2013-09-13

    Inventor: 池田祐希

    Abstract: 一种溅射靶,其包含含有Co的金属基质相和6~25摩尔%的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下称为“氧化物相”),其特征在于,XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0.7以下。本发明提供可以抑制溅射时初期粉粒的产生并缩短预烧时间,并且在溅射时可以得到稳定的放电的非磁性材料粒子分散型溅射靶。

    磁性材料溅射靶
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106795620A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201580008580.1

    申请日:2015-03-13

    CPC classification number: G11B5/851 C23C14/14 C23C14/3414

    Abstract: 一种溅射靶,其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶,其特征在于,非磁性相含有0.1~40摩尔%的C,所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶,其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间,并且在溅射时可得到稳定的放电。

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