公开(公告)号：CN114807874A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210309573.7

申请日：2015-03-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希 ,  荒川笃俊

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及磁性材料溅射靶。一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。

公开(公告)号：CN112695273A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011397506.2

申请日：2013-09-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34

Abstract: 一种溅射靶，其包含含有Co的金属基质相和6～25摩尔％的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下称为“氧化物相”)，其特征在于，XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0.7以下。本发明提供可以抑制溅射时初期粉粒的产生并缩短预烧时间，并且在溅射时可以得到稳定的放电的非磁性材料粒子分散型溅射靶。

公开(公告)号：CN106795620A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580008580.1

申请日：2015-03-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希 ,  荒川笃俊

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。