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公开(公告)号:CN106795620A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580008580.1
申请日:2015-03-13
Applicant: 捷客斯金属株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种溅射靶,其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶,其特征在于,非磁性相含有0.1~40摩尔%的C,所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶,其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间,并且在溅射时可得到稳定的放电。
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