公开(公告)号：CN107075666A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052685.7

申请日：2015-09-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 浅野孝幸 ,  小田国博

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C14/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C22/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04 ,  C22C27/06

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C1/045 ,  C22C5/04 ,  C22C14/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C22/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04 ,  C22C27/06 ,  C23C14/165 ,  H01J37/3426

Abstract: 本发明提供一种溅射靶用母合金，其为用于溅射靶的母合金，其特征在于，将构成母合金的元素设为以下的X1、X2、Y1、Y2、Y3时，X1：Ta或W中的一种或两种，X2：Ru、Mo、Nb或Hf中的一种以上，Y1：Cr或Mn中的一种或两种，Y2：Co或Ni中的一种或两种，Y3：Ti或V中的一种或两种，所述母合金包含上述构成元素的X1‑Y1、X1‑Y2、X1‑Y3、X2‑Y1、X2‑Y2中的任一种组合。由此具有下述优良效果：能够得到缺陷少、高密度且均匀的合金组成的靶，并且通过使用该靶，可以提供能够以高速进行均质且粉粒少的合金阻挡膜的成膜的烧结体溅射靶。

公开(公告)号：CN115094390A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210567743.1

申请日：2015-09-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 浅野孝幸 ,  小田国博

IPC: C23C14/34 ,  C22C14/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明涉及溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法。本发明提供一种溅射靶用母合金，其为用于溅射靶的母合金，其特征在于，将构成母合金的元素设为以下的X1、X2、Y1、Y2、Y3时，X1：Ta或W中的一种或两种，X2：Ru、Mo、Nb或Hf中的一种以上，Y1：Cr或Mn中的一种或两种，Y2：Co或Ni中的一种或两种，Y3：Ti或V中的一种或两种，所述母合金包含上述构成元素的X1‑Y1、X1‑Y2、X1‑Y3、X2‑Y1、X2‑Y2中的任一种组合。由此具有下述优良效果：能够得到缺陷少、高密度且均匀的合金组成的靶，并且通过使用该靶，可以提供能够以高速进行均质且粉粒少的合金阻挡膜的成膜的烧结体溅射靶。