公开(公告)号：CN109943814B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201910149068.9

申请日：2014-11-14

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C5/04 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe‑Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN105793465A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480063680.X

申请日：2014-11-14

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/00 ,  C22C1/04 ,  C22C5/04 ,  C22C38/00 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/851 ,  C22C5/04 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe?Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN111792919A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010534063.0

申请日：2014-03-04

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  中村祐一郎 ,  荒川笃俊 ,  荻野真一

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及MgO-TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO-TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN109943814A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910149068.9

申请日：2014-11-14

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C5/04 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe-Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN114959599A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210426425.3

申请日：2015-09-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为含有C和/或BN的FePt基烧结体溅射靶，其特征在于，在与该靶的溅射面垂直的截面的抛光面中AuCu合金粒子所占的面积率为0.5％以上且15％以下。本发明的课题在于提供可以减少在溅射时产生的粉粒，从而可以有效地形成磁记录介质的磁性薄膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN105793465B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480063680.X

申请日：2014-11-14

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/00 ,  C22C1/04 ,  C22C5/04 ,  C22C38/00 ,  G11B5/851

Abstract: 一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面的抛光面中，Fe‑Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

公开(公告)号：CN107075665A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580051739.8

申请日：2015-09-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荻野真一

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C38/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

CPC classification number: C22C5/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C38/00 ,  C23C14/34 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种溅射靶，其为含有C和/或BN的FePt基烧结体溅射靶，其特征在于，在与该靶的溅射面垂直的截面的抛光面中AuCu合金粒子所占的面积率为0.5％以上且15％以下。本发明的课题在于提供可以减少在溅射时产生的粉粒，从而可以有效地形成磁记录介质的磁性薄膜的溅射靶。