公开(公告)号：CN118847048A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411311942.1

申请日：2024-09-20

Applicant: 新乡医学院

Inventor： 倪天军 ,  董仲虎 ,  蔡海洁 ,  王歌 ,  朱永恒 ,  赵建华 ,  刘巍 ,  李琼 ,  杨志军 ,  葛春坡 ,  常开文 ,  刘嘉梦

IPC: B01J20/20 ,  B01J20/30 ,  B01J20/28 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种N‑CQDs负载WO3蒲公英状三维多级结构材料及其制备方法。将可溶性氯化钨溶于极性溶剂，然后进行溶剂热反应，再经煅烧得到蒲公英状WO3三维多级结构材料；再将得到的材料分散于N‑CQDs水溶液中并进行水热反应，得到所述N‑CQDs负载的WO3材料；本发明通过控制前驱体煅烧条件得到粒径均一、晶粒完整且晶体结构稳定的蒲公英状形貌、单斜晶系的WO3半导体材料。对本发明制备的N‑CQDs对蒲公英状WO3三维多级结构材料进行负载，制备出气敏性能一致性好的低功耗MEMS呼出气丙酮气体传感器，能够检测到ppb级别的丙酮浓度。