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公开(公告)号：CN104377163A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410405897.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/185 , B81B7/0006 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/033 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/85805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L21/32051 , H01L21/32055
Abstract: 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部份。
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公开(公告)号：CN102693936A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110419485.4
申请日：2011-12-15
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰特 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , P·R·耶勒汉卡
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76898 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装件互连结构。是提供支撑基板，其具有第一主要表面及第二主要表面。互连结构是形成穿过于该支撑基板中的该第一主要表面及该第二主要表面。互连结构具有第一部分及第二部分。该第一部分自该第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸，该第二部分自该第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸。互连结构包括部分的穿孔栓塞，穿孔栓塞具有于该互连结构的第一部分中的导电材料。穿孔栓塞具有底部，底部是位于该第一部分及该第二部分的接口的附近。以第一极性类型的掺杂物重掺杂该互连结构的第二部分。
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公开(公告)号：CN104377163B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410405897.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/185 , B81B7/0006 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/033 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/85805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
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公开(公告)号：CN102693936B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110419485.4
申请日：2011-12-15
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰特 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , P·R·耶勒汉卡
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/76898 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装件互连结构。是提供支撑基板，其具有第一主要表面及第二主要表面。互连结构是形成穿过于该支撑基板中的该第一主要表面及该第二主要表面。互连结构具有第一部分及第二部分。该第一部分自该第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸，该第二部分自该第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸。互连结构包括部分的穿孔栓塞，穿孔栓塞具有于该互连结构的第一部分中的导电材料。穿孔栓塞具有底部，底部是位于该第一部分及该第二部分的接口的附近。以第一极性类型的掺杂物重掺杂该互连结构的第二部分。
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