公开(公告)号：CN1921730A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610068098.X

申请日：2006-03-27

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 田中隆 ,  中岛英纪 ,  德田裕一

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K1/028 ,  H05K1/144 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4635 ,  H05K3/4691 ,  H05K2201/09109

Abstract: 一种具有铰链弯曲部分和刚性部分的铰链板，它包括：不少于两个柔性布线板以及用来键合各柔性布线板的键合材料，此柔性布线板包括聚酰亚胺片层、聚酰亚胺片层的两面或一面上的形成有电路的导体层、以及覆盖导体层的覆盖膜层。至少柔性布线板之一是包括聚酰亚胺片层的两面上的导体层的柔性双面布线板。而且，利用键合材料，以铰链弯曲部分中的各柔性布线板之间形成空间部分的方式，将各柔性布线板彼此键合在刚性部分。

公开(公告)号：CN101076885A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580041088.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 岸田克也 ,  岛田彰 ,  德田裕一 ,  财部妙子

IPC: H01L21/60 ,  H05K1/03

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/002 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0759 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，此外，本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

公开(公告)号：CN100468675C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580041088.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 岸田克也 ,  岛田彰 ,  德田裕一 ,  财部妙子

IPC: H01L21/60 ,  H05K1/03

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/002 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0759 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，此外，本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

公开(公告)号：CN1770439A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510117590.7

申请日：2005-11-04

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 德田裕一 ,  新田龙三 ,  服部公一 ,  松村康史

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B32B15/088

Abstract: 本发明提供一种COF(膜上芯片型，chip on film)用敷铜箔板，可形成微细图案的电路，在Au－Sn共晶时可防止沉入导体的聚酰亚胺层，以及提供一种将上述COF用敷铜箔板加工而得的COF用载置带。本发明所提供的COF用敷铜箔板是在铜箔上设置聚酰亚胺层的敷铜箔板，聚酰亚胺层的厚度为5至20μm，以溶液形态涂布在铜箔上，并经干燥及硬化而得，在350℃下呈现非热塑性的特性，铜箔的厚度为5至50μm，表面粗糙度为0.5至1.5μm，具有：以一种以上选自Mo、Co、Ni或Zn的金属所处理的金属处理层，以及铬酸盐处理层(chromate treatment layer)与硅烷偶合剂处理层，铜－聚酰亚胺间的常温中的180。剥离强度(peel strength)为0.6kN/m以上。