公开(公告)号：CN101073140A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580037690.7

申请日：2005-10-28

Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司

Inventor： K·布兰兹 ,  P·德雷斯 ,  M·索瓦 ,  T·盖林

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6704

Abstract: 本发明涉及一种对基片进行处理的方法，具有以下方法步骤：通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜，其中该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置以及与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或者说兆赫声波换能器装置；使所述超声波转换器装置的至少一部分与所述液膜相接触，并且用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。

公开(公告)号：CN100539004C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580037690.7

申请日：2005-10-28

Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司

Inventor： K·布兰兹 ,  P·德雷斯 ,  M·索瓦 ,  T·盖林

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6704

Abstract: 本发明涉及一种对基片进行处理的方法，具有以下方法步骤：通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜，其中该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置以及与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或者说兆赫声波换能器装置；使所述超声波转换器装置的至少一部分与所述液膜相接触，并且用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。