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公开(公告)号：CN1134310C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN00803802.3
申请日：2000-01-19
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C11/08 , G03F7/162
Abstract: 为了达到在基底上有均匀的涂层，本发明涉及的装置和方法是用于对基底进行涂层的，其中基底固定在一个基底座(5)上，从而使得待涂基底表面(15)裸露着，并使基底随基底座旋转，还有一个封盖(20)可以固定在基底座上，该封盖与基底座共同形成一个封闭的用于基底的腔室。
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公开(公告)号：CN1341275A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804164.4
申请日：2000-02-02
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103
Abstract: 本发明涉及衬底热处理的一种方法和一种装置,其中衬底通过加热板加热,这样实现改善热均匀性,即应用可以单独控制的许多加热元件加热加热板,测量加热元件的温度,并且由PID调节器控制加热过程。此外,地点分辨地量测背离加热板的衬底表面的温度,根据量测的温度求得在衬底表面上的温度分布,求得单个加热元件的温度额定值,并传递到PID调节器。
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公开(公告)号：CN101073140A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580037690.7
申请日：2005-10-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6704
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行处理的方法，具有以下方法步骤：通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜，其中该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置以及与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或者说兆赫声波换能器装置；使所述超声波转换器装置的至少一部分与所述液膜相接触，并且用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。
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公开(公告)号：CN1339988A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN00803802.3
申请日：2000-01-19
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C11/08 , G03F7/162
Abstract: 为了达到在基底上有均匀的涂层,本发明涉及的装置和方法是用于对基底进行涂层的,其中基底固定在一个基底座(5)上,从而使得待涂基底表面(15)裸露着,并使基底随基底座旋转,还有一个封盖(20)可以固定在基底座上,该封盖与基底座共同形成一个封闭的用于基底的腔室。
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公开(公告)号：CN1864243A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029580.1
申请日：2004-10-07
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 为了简单而经济地清洁基片的边缘区域、尤其适用于清洁非圆形的基片，提供清洁基片尤其是光掩膜和/或半导体晶片边缘的装置和方法。该装置具有至少一个带有至少一个介质供给喷嘴和至少一个介质抽吸孔的清洁头，其中清洁头具有一个主体以及至少一个第一凸缘，在主体内构成介质抽吸孔和一个连接于介质抽吸孔上的介质抽吸通道，第一凸缘具有一个指向介质抽吸孔的并且基本上垂直于主体的一个具有介质抽吸孔的侧面延伸的侧平面，其中所述至少一个介质供给喷嘴与主体间隔距离地设置在第一凸缘上，并且向着指向介质抽吸孔的凸缘侧面打开口并且基本上垂直于该侧面定向，其中介质供给喷嘴的排出口相对于凸缘的侧平面缩进或者处于该平面上，其中可以控制一个运动装置，使得它在基片顶侧面和凸缘的指向基片顶侧面的侧平面之间进行清洁时保留一个0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.3mm，并且优选0.2mm的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1552089A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01819883.X
申请日：2001-11-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248
Abstract: 为了提高在待处理基板表面上的温度均匀性，提出了一种基板的热处理方法，其中基板通过多个可独立控制的加热件被加热并且分别为这些加热件拟定一个额定值剖面，该方法具有以下步骤：在热处理过程中定位分辨地测量该基板的背对所述加热件的那一面的温度；分析计算在基板表面上出现的温度不均匀性；基于所测量的温度不均匀性来确定新的额定值剖面；为随后的处理过程提供新的额定值剖面。
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公开(公告)号：CN1165964C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00804164.4
申请日：2000-02-02
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103
Abstract: 本发明涉及衬底热处理的一种方法和一种装置，其中衬底通过加热板加热，这样实现改善热均匀性，即应用可以单独控制的许多加热元件加热加热板，测量加热元件的温度，并且由PID调节器控制加热过程。此外，地点分辨地量测背离加热板的衬底表面的温度，根据量测的温度求得在衬底表面上的温度分布，求得单个加热元件的温度额定值，并传递到PID调节器。
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公开(公告)号：CN100539004C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580037690.7
申请日：2005-10-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6704
Abstract: 本发明涉及一种对基片进行处理的方法，具有以下方法步骤：通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜，其中该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置以及与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或者说兆赫声波换能器装置；使所述超声波转换器装置的至少一部分与所述液膜相接触，并且用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。
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公开(公告)号：CN100476582C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03817260.7
申请日：2003-07-10
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
CPC classification number: B05C5/005
Abstract: 为了将一种液体快速、均匀和尽可能不受力地涂覆到基片上，按照本发明设有一个用于将一种液体涂覆到基片上的喷嘴装置(22)，其中这装置具有一个喷嘴体(26)，它有多个基本设于一条线上的喷嘴(36)和一个基本垂直布置的、具有一个直的下底边的导向板(28)，而且其中这些喷嘴(36)在下底边之上都指向导向板(28)，因而在导向板(28)上形成了一个液体膜，它通过下底边(64)流出。
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公开(公告)号：CN1311517C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN01819883.X
申请日：2001-11-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248
Abstract: 为了提高在待处理基板表面上的温度均匀性，提出了一种基板的热处理方法，其中基板通过多个可独立控制的加热件被加热并且分别为这些加热件拟定一个额定值分布，该方法具有以下步骤：在热处理过程中分辨定位地测量该基板的背对所述加热件的那一面的温度；分析计算在基板表面上出现的温度不均匀性；基于所测量的温度不均匀性来确定新的额定值分布；为随后的处理过程提供新的额定值分布。
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