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公开(公告)号：CN100555562C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580004891.7
申请日：2005-11-12
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103
Abstract: 本发明涉及基片热处理的方法和装置，其中基片保持与加热板接触或与之相距很近，加热板由在其背离基片的一侧上的多个单独可控的加热元件加热。所述加热板至少在其平面上被一个与其有一定距离的框架包围，以便通过所述框架和所述加热板的至少一个边缘之间的间隙，以一种受控的方式引入气体。
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公开(公告)号：CN1552089A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01819883.X
申请日：2001-11-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248
Abstract: 为了提高在待处理基板表面上的温度均匀性，提出了一种基板的热处理方法，其中基板通过多个可独立控制的加热件被加热并且分别为这些加热件拟定一个额定值剖面，该方法具有以下步骤：在热处理过程中定位分辨地测量该基板的背对所述加热件的那一面的温度；分析计算在基板表面上出现的温度不均匀性；基于所测量的温度不均匀性来确定新的额定值剖面；为随后的处理过程提供新的额定值剖面。
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公开(公告)号：CN1311517C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN01819883.X
申请日：2001-11-28
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248
Abstract: 为了提高在待处理基板表面上的温度均匀性，提出了一种基板的热处理方法，其中基板通过多个可独立控制的加热件被加热并且分别为这些加热件拟定一个额定值分布，该方法具有以下步骤：在热处理过程中分辨定位地测量该基板的背对所述加热件的那一面的温度；分析计算在基板表面上出现的温度不均匀性；基于所测量的温度不均匀性来确定新的额定值分布；为随后的处理过程提供新的额定值分布。
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公开(公告)号：CN1918693A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004891.7
申请日：2005-11-12
Applicant: 施蒂格哈马技术股份公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103
Abstract: 本发明涉及基片热处理的方法和装置，其中基片保持与加热板接触或与之相距很近，加热板由在其背离基片的一侧上的多个单独可控的加热元件加热。所述加热板至少在其平面上被一个与其有一定距离的框架包围，以便通过所述框架和所述加热板的至少一个边缘之间的间隙，以一种受控的方式引入气体。
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