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公开(公告)号：CN101195734B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710198709.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/02 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K5/0025 , C08L2312/06 , C09J7/385 , C09J139/06 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L2221/68327 , H01L2924/3025 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及一种可除去的压敏粘合剂组合物，其包含丙烯酸聚合物、光聚合引发剂和交联剂，其中丙烯酸聚合物和光聚合引发剂分别和交联剂化学键合。本发明还涉及一种可除去的压敏粘合剂组合物，其包含丙烯酸聚合物和光聚合引发剂，该组合物还包含具有反应性官能团的交联剂，所述反应性官能团可以与丙烯酸聚合物的反应性官能团及光聚合引发剂的反应性官能团发生反应。
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公开(公告)号：CN101195734A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710198709.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/02 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K5/0025 , C08L2312/06 , C09J7/385 , C09J139/06 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L2221/68327 , H01L2924/3025 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及一种可除去的压敏粘合剂组合物，其包含丙烯酸聚合物、光聚合引发剂和交联剂，其中丙烯酸聚合物和光聚合引发剂分别和交联剂化学键合。本发明还涉及一种可除去的压敏粘合剂组合物，其包含丙烯酸聚合物和光聚合引发剂，该组合物还包含具有反应性官能团的交联剂，所述反应性官能团可以与丙烯酸聚合物的反应性官能团及光聚合引发剂的反应性官能团发生反应。
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公开(公告)号：CN1314736C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410047286.5
申请日：2004-05-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C03C17/007 , C03C2217/425 , C03C2217/45 , C03C2217/75 , C08K9/04 , Y10T428/2481
Abstract: 一种亲水化多孔膜能够通过简单的方法亲水化得到，该方法没有损害排斥能力和渗透性能并易于保持膜材料的性能，并且还提供了制备该膜的方法。所述亲水化多孔膜包含有疏水性聚合物和分散于其中用亲水性化合物有机化的有机化粘土，是通过这样一种方法得到的，该方法包括将亲水性化合物有机化的粘土分散于疏水性聚合物溶液的步骤，和对该溶液进行相分离的步骤以获得亲水化多孔膜。
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公开(公告)号：CN110819249B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910725933.X
申请日：2019-08-07
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是防止背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。
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公开(公告)号：CN101542689A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000519.2
申请日：2008-04-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J2201/20 , C09J2205/31 , H01L21/67092 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明的目的在于：提供一种粘合片，该粘合片通过在喷水激光切割中使来自液体流的液体具有更加良好且稳定的透过性来防止在芯片或IC部件等的剥离时产生缺损等缺陷，从而可实现对极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明的粘合片是在基材膜12上层叠粘合剂层11而成的喷水激光切割用粘合片，其中，基材膜12是由纤维形成的网状结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101177598A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710185072.8
申请日：2007-11-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B26F3/004 , C09J7/21 , C09J7/22 , C09J2201/20 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/26 , Y10T428/28 , Y10T442/10
Abstract: 本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或IC部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。该喷水激光切割用粘合片在基材膜上叠层了粘合剂层，基材膜包括由纤维形成的网状物。
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公开(公告)号：CN101134877A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710146802.3
申请日：2007-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C09J7/20 , C09J2201/20 , C09J2203/326 , C09J2407/00 , C09J2409/00 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , H01L2221/68327 , Y10T428/15 , Y10T428/28 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种粘合片，在随着半导体晶片等的切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的状况下，该粘合片可以确保切割时晶片等的良好粘结边防止芯片或部件从粘结胶带上剥离，同时，剥离切割后的芯片或IC部件等没有产生缺损等缺陷，能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，其是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，构成粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。
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公开(公告)号：CN110272690A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910185544.2
申请日：2019-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/50 , C09J133/08
Abstract: 本发明提供一种半导体保护用粘合带，其能够良好地填埋凹凸面，且溶剂含量少。本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量射线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。
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公开(公告)号：CN101157830B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200710153171.8
申请日：2007-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C09J7/22 , C09J7/241 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2205/114 , C09J2423/006 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/24355 , Y10T428/28
Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用的台面局部附着，从而容易且高效地进行之后的工序。本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接触减少层而构成。
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公开(公告)号：CN101993668A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010249245.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J4/06 , C09J4/02 , H01L21/68 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/6834 , Y10T428/264
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆(20)表面来保持保护半导体晶圆(20)的粘合片(10)，在基材层(12)的单面配置有粘合剂层(11)，粘合层(11)的厚度为4～42μm，且25℃下的弹性模量为0.5～9MPa。
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