-
公开(公告)号:CN105492655A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201480047600.1
申请日:2014-09-24
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜的制造方法,可以更高速度地形成被低电阻化了的透明导电层。本发明是包括在基材膜上利用溅射法由含有铟-锡复合氧化物的靶形成透明导电层的工序的透明导电性膜的制造方法,所述溅射法是在溅射成膜装置的每1个溅射室具备的2个所述靶处分别连接DC电源而进行的DC双靶溅射法。
-