公开(公告)号：CN108885380A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019696.4

申请日：2017-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 片桐正義 ,  藤野望 ,  梨木智刚 ,  渡边健太

IPC: G02F1/19

Abstract: 氢活性型调光薄膜(1)在高分子薄膜基板(10)上具有调光层(30)和催化剂层(40)，通过氢化和脱氢化切换透明状态和反射状态。通过辊对辊溅射，在高分子薄膜基板上将状态在基于氢化的透明状态与基于脱氢化的反射状态之间可逆地变化的调光层、及促进调光层中的氢化及脱氢化的催化剂层成膜。从调光层的成膜起至催化剂层的成膜为止不进行大气开放地连续实施。

公开(公告)号：CN107636526A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680029512.8

申请日：2016-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  片桐正義 ,  梨木智刚

IPC: G02F1/19 ,  C23C14/34 ,  E06B5/00 ,  G02B5/00

CPC classification number: G02F1/0018 ,  C23C14/10 ,  C23C14/205 ,  G02B5/00 ,  G02F1/15 ,  G02F1/19 ,  G02F2001/1515

Abstract: 调光薄膜(1)为氢活性型调光薄膜，其在高分子薄膜基材(10)上依次具备无机氧化物层(20)、调光层(30)及催化剂层(40)。调光层(30)为状态在基于氢化的透明状态和基于脱氢化的反射状态之间可逆地变化的层。催化剂层(40)促进调光层中的氢化及脱氢化。无机氧化物层(20)包含与构成调光层(30)的金属元素不同的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN107615157B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201680029550.3

申请日：2016-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 片桐正義 ,  藤野望 ,  梨木智刚

IPC: G02F1/19 ,  G02B5/00 ,  C23C14/34 ,  E06B5/00

Abstract: 调光薄膜(1)在高分子薄膜基材(10)上依次具备：状态在基于氢化的透明状态与基于脱氢化的反射状态之间可逆地变化的调光层(30)、以及促进调光层中的氢化及脱氢化的催化剂层(40)。调光层(30)在通过X射线光电子能谱法测定的元素浓度的膜厚方向分布中，在催化剂层(40)侧以10nm以上的厚度具有氧含量不足50原子％的调光区域(32)，在高分子薄膜基材(10)侧具有氧含量为50原子％以上的氧化区域(31)。

公开(公告)号：CN107615157A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029550.3

申请日：2016-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 片桐正義 ,  藤野望 ,  梨木智刚

IPC: G02F1/19 ,  G02B5/00 ,  C23C14/34 ,  E06B5/00

Abstract: 调光薄膜(1)在高分子薄膜基材(10)上依次具备：状态在基于氢化的透明状态与基于脱氢化的反射状态之间可逆地变化的调光层(30)、以及促进调光层中的氢化及脱氢化的催化剂层(40)。调光层(30)在通过X射线光电子能谱法测定的元素浓度的膜厚方向分布中，在催化剂层(40)侧以10nm以上的厚度具有氧含量不足50原子％的调光区域(32)，在高分子薄膜基材(10)侧具有氧含量为50原子％以上的氧化区域(31)。