公开(公告)号：CN1172351C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01138501.4

申请日：2001-11-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井滋树 ,  池尻忠司

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/2236

Abstract: 当离子束14辐照在衬底2以进行诸如离子注入的处理时，从等离子体生成装置20发出的等离子体30被供应给接近衬底2的部分以便对由于离子辐照引起的衬底表面的充电进行抑制。保持IE/IB之比不低于1.8，保持II/IE之比不低于0.07并且不高于0.7，其中IB是辐照在衬底2上的离子束14的电流，II表示从等离子体生成装置发出的等离子体30中离子数量的离子电流，以及IE表示等离子体30中电子数量的电子电流。

公开(公告)号：CN1353445A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01138501.4

申请日：2001-11-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井滋树 ,  池尻忠司

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/2236

Abstract: 当离子束14辐照在衬底2以进行诸如离子注入的处理时,从等离子体生成装置20发出的等离子体30被供应给接近衬底2的部分以便对由于离子辐照引起的衬底表面的充电进行抑制。保持IE/IB之比不低于1.8,保持II/IE之比不低于0.07并且不高于0.7,其中IB是受离子束14辐照的衬底2的电流,II表示从等离子体生成装置发出的等离子体30中离子数量的离子电流,以及IE表示等离子体30中电子数量的电子电流。