公开(公告)号：CN1316546A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01111233.6

申请日：2001-03-08

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  NPS株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  北原宏一 ,  高松勇吉 ,  森勇次

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。