-
公开(公告)号：CN1237577C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02102460.X
申请日：2002-01-22
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , B01D53/74
CPC classification number: C30B25/02 , B01D53/58 , B01D53/77 , B01D2258/0216 , C23C14/0617 , C23C16/301 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/4488 , C30B29/406
Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地，因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电，由此可以显著地提高作业的安全性。
-
公开(公告)号：CN1367525A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02102460.X
申请日：2002-01-22
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , B01D53/74
CPC classification number: C30B25/02 , B01D53/58 , B01D53/77 , B01D2258/0216 , C23C14/0617 , C23C16/301 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/4488 , C30B29/406
Abstract: 公开了由HVPE法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此设备中的废气的净化设备以及用于由HVPE法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性抗侵蚀材料制成也都电接地,因而能可靠地防止由于废气中的氯化铵粉末与排气管道内壁间的摩擦造成的静电充电,由此可以显著地提高作业的安全性。
-
公开(公告)号：CN1356718A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01142538.5
申请日：2001-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4404 , C23C16/4481
Abstract: 本发明公开了一种气化器,其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成;还公开了一种气化供给装置,其包括气化器和冷却器,其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成;与气化器外侧接触的进料口由金属构成;可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口,该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时,能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料,且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。
-
公开(公告)号：CN1344817A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141203.8
申请日：2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 , NPS株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积
-
公开(公告)号：CN1316290A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN00137230.0
申请日：2000-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/86
CPC classification number: B01D53/8668 , B01D2251/102
Abstract: 公开了一种有害气体的净化方法，该方法包括：将从使用有机金属化合物作反应原料的反应过程中排出的有害气体，与氧气或空气混合，然后在100℃－800℃的温度下，使混合物与通过在一种无机载体上附载一种贵金属得到的催化剂；含选自氧化钒、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化银、氧化钴和氧化镍的至少一种金属氧化物的催化剂；或者在一种无机载体上附载该金属氧化物得到的催化剂接触，以净化该有害气体。同时，公开了一种该方法使用的装置。本发明能够确保以有效的方式净化有害气体，在将有害气体净化后，没有排出有机化合物和大量的二氧化碳，不需要后处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1295875A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00133741.6
申请日：2000-10-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/72
CPC classification number: B01J20/28057 , B01D53/02 , B01D53/46 , B01D2257/706 , B01J20/0237 , B01J20/06 , C23C16/4412
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法:Rm－M－Hn其中R为烷基,M为As、P、S、Se或Te,且m和n分别为正整数,满足等式:m+n=M的化合价。该清洗剂包含氧化铜(Ⅱ)或氧化铜(Ⅱ)与二氧化锰的混合物作为有效组分。氧化铜(Ⅱ)的BET比表面积为10米2/克或更高,这明显大于常用作已知清洗剂中有效组分的氧化铜(Ⅱ)。
-
公开(公告)号：CN1256961A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99122900.2
申请日：1999-12-09
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/58
CPC classification number: B01D53/8634 , Y02A50/2346
Abstract: 公开一种净化含氨废气的工艺,该工艺包括如下步骤:使废气与加热的氨分解催化剂(如镍、钌)接触,以使大部分氨分解成氮气和氢气;随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂(例如合成氟石)接触,以吸收未分解的氨;然后加热再生该吸附剂,同时使含有吸附剂解吸氨的再生废气与该加热的氨分解催化剂或另一个氨分解催化剂接触;还公开一种实现上述工艺的装置。采用上述工艺和装置可以有效地和完全地净化半导体制造等工艺中排出的净化废气,而不产生无用的副产品,并可以省去次级处理。
-
公开(公告)号：CN1219605A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98120573.9
申请日：1998-09-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B01J4/008 , B01D1/16 , B01D3/346 , C23C16/4481 , C23C16/4486 , Y10S261/65
Abstract: 一种材料的汽化和供给装置,其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内,通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化,通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时,在汽化中材料的浓度容易控制,根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度,不会发生材料的分解,不会限制CVD装置的工作条件。
-
公开(公告)号：CN1213794C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN00137230.0
申请日：2000-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/86
CPC classification number: B01D53/8668 , B01D2251/102
Abstract: 公开了一种有害气体的净化方法，该方法包括：将从使用有机金属化合物作反应原料的反应过程中排出的有害气体，与氧气或空气混合，然后在100℃-800℃的温度下，使混合物与通过在一种无机载体上附载一种贵金属得到的催化剂；含选自氧化钒、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化银、氧化钴和氧化镍的至少一种金属氧化物的催化剂；或者在一种无机载体上附载该金属氧化物得到的催化剂接触，以净化该有害气体。同时，公开了一种该方法使用的装置。本发明能够确保以有效的方式净化有害气体，在将有害气体净化后，没有排出有机化合物和大量的二氧化碳，不需要后处理。
-
公开(公告)号：CN1110582C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98120573.9
申请日：1998-09-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B01J4/008 , B01D1/16 , B01D3/346 , C23C16/4481 , C23C16/4486 , Y10S261/65
Abstract: 一种材料的汽化和供给装置，其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内，通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化，通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时，在汽化中材料的浓度容易控制，根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度，不会发生材料的分解，不会限制CVD装置的工作条件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.058 seconds)
