公开(公告)号：CN1344817A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01141203.8

申请日：2001-09-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  NPS株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  直井弘之 ,  H·X·王 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法,其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体;以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体;且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速,或者,在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证,既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下,都可得到高质量的晶体,而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积

公开(公告)号：CN1259450C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01141203.8

申请日：2001-09-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  德岛酸素工业株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  高松勇吉 ,  森勇次 ,  直井弘之 ,  H·X·王 ,  石滨义康 ,  纲岛丰

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。通过所述装置和方法可保证，既使在进行大型基体的化学气相沉积或多个基体同时进行化学气相沉积、或在高温下进行化学气相沉积的情况下，都可得到高质量的晶体，而在与所述基体相对的管式反应器壁上不会产生分解产物或反应产物的沉积。