金属ベース回路基板及びその製造方法
    1.
    发明专利
    金属ベース回路基板及びその製造方法 有权
    金属基板电路板及其制造方法

    公开(公告)号:JP2016143775A

    公开(公告)日:2016-08-08

    申请号:JP2015018744

    申请日:2015-02-02

    CPC classification number: H05K1/03 H05K1/05 H05K3/20 H05K3/44

    Abstract: 【課題】絶縁層の膜厚を薄くしても、耐電圧特性に優れ、高い絶縁信頼性を有する金属ベース回路基板、およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】金属ベース基板11と、第一の回路パターン13と、前記金属ベース基板と前記第一の回路パターンとの間に第一の絶縁層12を具備する金属ベース回路基板10であって、前記第一の絶縁層は、前記第一の回路パターンのうち、前記金属ベース基板と向き合った下面13bと、前記第一の回路パターンの側面のうち少なくとも前記下面と隣接した領域13aとを被覆している金属ベース回路基板。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:即使当绝缘层的膜厚减小时,也可提供耐电压特性优异且绝缘可靠性高的金属基电路板,并提供其制造方法。 基底电路板10包括:金属基底11; 第一电路图案13; 以及在金属基底基板和第一电路图案之间的第一绝缘层12。 第一绝缘层覆盖面向第一电路图案的金属基底的下表面13b,并且覆盖第一电路图案的侧面的至少与下表面相邻的区域13a。图2

    樹脂組成物、回路基板用積層板、金属ベース回路基板及びパワーモジュール

    公开(公告)号:JP2018141056A

    公开(公告)日:2018-09-13

    申请号:JP2017035719

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 【課題】 耐熱性及び湿熱絶縁性に優れた回路基板用積層板、この回路基板用積層板から製造される金属ベース回路基板、及び、この金属ベース回路基板を備えるパワーモジュールを提供すること。また、ガラス転移温度(Tg)及び熱分解温度(Td)が高く、低温硬化性に優れ、且つ低吸水性を満たす樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 ビスフェノール型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂及び硬化促進剤を含有する樹脂組成物が提供される。上記樹脂組成物は、上記硬化促進剤として、ベンゾオキサジン化合物と、フェノール性水酸基を有するベンゾオキサジ化合物由来の化合物を含有し、且つ、上記ビスフェノール型シアネート樹脂と上記ノボラック型シアネート樹脂とが架橋した架橋構造Iと、上記ビスフェノール型シアネート樹脂及び上記ノボラック型シアネート樹脂の少なくとも一方と、上記フェノール性水酸基を有するベンゾオキサジン化合物由来の化合物とが架橋した架橋構造IIとを有する。 【選択図】 なし

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