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公开(公告)号：JPWO2019039208A1
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2018028563
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/208 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。上面13aにおけるX線ロッキングカーブの(0002)面反射の半値幅が3000秒以下、20秒以上であり、上面13aの算術平均粗さRaが0.05nm以上、1.0nm以下である。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2019039055A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：JP2018022796
申请日：2018-06-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層において、転位欠陥を抑制でき、機能素子の歩留りを改善し、特性を向上させることができるようにする。 【解決手段】サファイア基板25を表面処理(矢印K)することによってアルミニウム酸化物層2を形成し、アルミニウム酸化物層2上に、13族元素窒化物からなる種結晶膜を形成し、種結晶膜上に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選ばれた13族元素窒化物からなる13族元素窒化物層を設ける。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP5849176B1
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2015533347
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , C04B35/115 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/2007 , H01L29/0649 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/52 , C04B2237/588 , Y10T428/24355
Abstract: 半導体用複合基板のハンドル基板1が多結晶アルミナにより形成されており、ハンドル基板1の外周縁部8の平均粒径が20〜55μmであり、ハンドル基板の中央部20の平均粒径が10〜50μmであり、ハンドル基板の外周縁部8の平均粒径が中央部20の平均粒径の1.1倍以上、3.0倍以下である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 处理半导体复合衬底的衬底1的多晶氧化铝形成具有处理衬底的外周缘部8的平均粒径1为20〜55Myuemu，手柄基板10的与中央部20的平均粒径 一个50微米，处理衬底的外周缘部8的平均粒径为中央部20的平均粒径的1.1倍以上3.0倍以下。 点域1
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公开(公告)号：JPWO2019039246A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2018029358
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。高輝度発光部5が、13族元素窒化物結晶13のm面に沿って伸びている部分を含んでおり、上面13aに対する法線Tが13族元素窒化物結晶の 方向に対して2.0°以下のオフ角θを有する。 【選択図】 図11
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2019039207A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2018028558
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層を提供する。上面をカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部と、前記高輝度発光部に隣接する低輝度発光領域とを有している。高輝度発光部が前記13族元素窒化物結晶のm面に沿って延びている部分を含む。上面の算術平均粗さRaが0.05nm以上、1.0nm以下である。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2019039189A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2018028206
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。高輝度発光部5が、13族元素窒化物結晶13のm面に沿って伸びている部分を含んでおり、酸素原子の含有量が1×10 18 atom/cm 3 以下であり、珪素原子、マンガン原子、炭素原子、マグネシウム原子およびカルシウム原子の含有量がそれぞれ1×10 17 atom/cm 3 以下であり、クロム原子の含有量が1×10 16 atom/cm 3 以下であり、塩素原子の含有量が1×10 15 atom/cm 3 以下である。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6125528B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2014545472
申请日：2012-11-06
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K1/0207 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L33/647 , H05K1/0204 , H05K1/0209 , H01L2224/16245 , H01L2933/0066 , H05K1/053 , H05K2201/0137 , H05K2201/062 , H05K2201/068 , H05K2201/10106 , H05K2201/10416 , H05K2203/1126
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公开(公告)号：JP5781254B1
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2015518488
申请日：2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , C01P2006/60 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半導体用複合基板のハンドル基板2Aが多結晶透光性アルミナからなり、多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が99.9%以上であり、多結晶透光性アルミナの200〜400nmの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が60%以上であり、多結晶透光性アルミナの200〜400nmの波長範囲における直線透過率の平均値が15%以下である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 处理半导体复合基板的基板2A由多晶硅半透明氧化铝，氧化铝纯度多晶硅半透明氧化铝为99.9％以上，在波长范围200〜400nm的多晶半透明氧化铝总的前 和透光率的平均值为60％以上且波长范围200〜400nm的多晶半透明氧化铝的直线透过率的平均值为15％或更小。 点域1
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