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公开(公告)号：JP4655044B2
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：JP2006552267
申请日：2006-07-14
Applicant: 日本電気株式会社
Inventor： 昌輝 大矢
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04
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公开(公告)号：JPWO2007037057A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2006552267
申请日：2006-07-14
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本発明に係るIII族窒化物半導体発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層105と、活性層105上に形成された、ストライプ状の開口部108aを有する電流狭窄層108と、開口部108aを埋設する、Alを含むIII族窒化物半導体からなる超格子層(p型層109)と、前記超格子層上に形成された、Alを含むIII族窒化物半導体からなるクラッド層110と、を備える。前記超格子層の平均Al組成比をx1とし、クラッド層110の平均Al組成比をx2とした場合において、x1
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公开(公告)号：JP5458782B2
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：JP2009229118
申请日：2009-09-30
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP3968564B2
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：JP2002070312
申请日：2002-03-14
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: G02B6/4206 , G02B6/02057 , G02B6/262 , H01S5/1064 , H01S5/4012 , H01S5/4025
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公开(公告)号：JP5282901B2
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：JP2009170641
申请日：2009-07-21
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L33/18 , H01L21/205 , H01L33/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor capable of obtaining incoherent light emission while suppressing, for example, laser light emission extremely effectively. SOLUTION: The semiconductor includes a first semiconductor crystal layer 11 and a second semiconductor crystal layer 16, wherein the second semiconductor crystal layer 16 is formed covering a part of one surface side of the first semiconductor crystal layer 11, which is constituted so that surface density of crystal defects at a part 11A which is covered with the second semiconductor crystal layer 16 is higher than that at a part 11B which is not covered with the second semiconductor crystal layer 16. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
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