非水電解液二次電池
    5.
    发明专利
    非水電解液二次電池 审中-公开
    非水电解质二次电池

    公开(公告)号:JPWO2014133161A1

    公开(公告)日:2017-02-09

    申请号:JP2015503063

    申请日:2014-02-28

    Abstract: 正極と、負極と、非水電解液とを備えるリチウムイオン二次電池であって、前記正極は、リチウム金属に対して4.5V以上に動作電位を有する正極活物質を含み、前記非水電解液は、式(1)で表される環状スルホン酸エステルを含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池に関する。本発明によれば、5V級活物質を含むリチウムイオン二次電池において、容量保持特性に優れた二次電池を提供することができる。(式(1)中、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、ハロゲン基、またはアミノ基である。但し、R1、R2の両方とも水素原子ということは無い。R3は炭素数1〜5のアルキレン基、カルボニル基、スルホニル基、炭素数1〜6のフルオロアルキレン基、およびエーテル基を介してアルキレン単位またはフルオロアルキレン単位が結合した炭素数2〜6の2価の基からなる群の中から選ばれる連結基を示す。)

    Abstract translation: 一种正电极,锂离子二次电池,其包括负极,和非水电解质,其中所述阴极包括具有相对于锂金属高于4.5V的工作电位的正极活性物质,非水电解质 涉及一种锂离子二次电池,其包含由式(1)表示的环状磺酸酯。 根据本发明,在包括5V Kyukatsu材料的锂离子二次电池中,有可能提供一种优良的二次电池的容量保持特性。 (在式(1)中,R1,R2各自独立地表示氢原子,具有1至5个碳原子,卤素基团或氨基基团的烷基。但是,它不是一个氢原子都R1,R2。 R 3是具有1至5个碳原子,羰基,磺酰基,二价2-6个碳原子的亚烷基单元或氟代亚单位通过氟代基和醚基团键合的亚烷基,具有1至6个碳原子 它显示了选自基团组成的组的连接基团。)

    リチウムイオン二次電池
    6.
    发明专利
    リチウムイオン二次電池 审中-公开
    锂离子二次电池

    公开(公告)号:JPWO2013183525A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:JP2014519953

    申请日:2013-05-29

    Abstract: 高容量で、かつ高温サイクル特性が良好な二次電池を提供する。本発明は、負極活物質が、リチウムと合金可能な金属(a)、リチウムイオンを吸蔵、放出し得る金属酸化物(b)、およびリチウムイオンを吸蔵、放出し得る炭素材料(c)を所定の質量比で含み、前記金属(a)はシリコンを含み、前記負極活物質は、元素として、Sn、Si、CおよびOを所定の質量比で含み、かつ、負極の目付け量(負極集電体を除いた単位面積当たりの質量)が6mg/cm2以上であることを特徴とする二次電池をに関する。

    Abstract translation: 高容量和高温度循环特性提供了良好的二次电池。 本发明中,阳极活性材料,能够形成合金与锂金属(a)中,吸附锂离子,能够释放(b)和吸留锂离子的,预定的碳材料(c)的金属氧化物是能够释放的 其中,在所述金属的重量比(a)包括硅,所述负极活性物质,作为元件,包括锡,硅,碳和O以预定的重量比,并且,负电极的单位面积重量(负极集电体 每不含体单位面积)质量大约是一种二次电池,其特征在于,在6毫克/厘米2以上。

    External resonator type wavelength tunable laser and a method of manufacturing the same

    公开(公告)号:JP5299009B2

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:JP2009073424

    申请日:2009-03-25

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an external resonator type wavelength-variable laser having high power and superior mode stability, and to provide a method of manufacturing the external resonator type wavelength-variable laser. SOLUTION: The external resonator type wavelength variable laser includes a semiconductor optical amplifier 102 and a phase adjuster 103 formed on the semiconductor substrate as that of the semiconductor optical amplifier 102 to adjust a phase of light generated by the semiconductor optical amplifier 102. Further, the external resonator type wavelength-variable laser includes an external mirror 106 for reflecting light emitted from the phase adjuster 103. The phase adjuster 103 includes a curved waveguide 108b optically coupled with the semiconductor optical amplifier 102. Further, the phase adjuster 103 includes a linear waveguide 108c optically coupled with the curved waveguide 108b, formed between the curved waveguide 108b and an external mirror side edge 110 and constituted so that a light trapping rate is reduced as approaching to the external mirror side edge 110. Further the phase adjuster 103 includes an electrode formed at least on the linear waveguide 108c. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

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