公开(公告)号：CN101198716B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200680021592.9

申请日：2006-03-10

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  矢作政隆

IPC: C23C14/34 ,  C01G37/033 ,  C04B35/12

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01G37/033 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/12 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用氧化铬粉末，其包含硫含量为100重量ppm以下的氧化铬；一种氧化铬或者含有5摩尔％以上的氧化铬的溅射靶，其中溅射靶中的硫含量为100重量ppm以下，除水分、碳、氮、硫的气体成分外的纯度为99.95重量％以上。本发明提供一种可以提高氧化铬自身的纯度，同时可以提高溅射靶制造时的烧结密度的溅射靶用氧化铬粉末，并且进一步提供一种在使用该氧化铬粉末制造溅射靶时可以使晶粒微细，不产生破裂，均匀且致密的溅射靶。

公开(公告)号：CN101910450A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122931.1

申请日：2008-12-24

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 生泽正克 ,  矢作政隆

IPC: C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  Y10T428/31786

Abstract: 提供一种在溅射法中，能够使膜的载流子浓度再现性良好地为规定值的a-IGZO氧化物薄膜的制备方法。一种非晶质In-Ga-Zn-O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5-5.5W/cm2，在基板上进行直流溅射成膜，该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％-80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％-50％，电阻率为1.0×10-1Ωcm以下。

公开(公告)号：CN101490766A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027105.4

申请日：2007-05-23

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 生泽正克 ,  矢作政隆

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/658 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明提供一种氧化锌系透明导体，其特征在于，以氧化锌(ZnO)为主成分，含有相对于氧化锌成为n型掺杂剂的元素，并且含有相对于所有金属原子为0.05～2.0原子％的表示与氧化锌的润湿性的参数P为6以下、电阻率小于添加了n型掺杂剂的氧化锌的电阻率的金属，其中，P＝(G+Hmix)/RT，G：温度T下金属的吉布斯自由能，Hmix：温度T下氧化锌与金属的混合焓，R：气体常数，T：温度。本发明的目的在于，在不含有昂贵且存在资源枯竭可能的原料In的透明导体的开发中，超越单掺法这种以往的开发技术的极限，给出对低电阻率化有效的第2添加材料的选择方针以及具体的材料种类和优选的浓度范围，并提供低电阻率透明导体。

公开(公告)号：CN100457963C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480021992.0

申请日：2004-07-14

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 井上明久 ,  木村久道 ,  笹森贤一郎 ,  矢作政隆 ,  中村笃志 ,  高桥秀行

IPC: C23C14/34 ,  C22C16/00 ,  C22C5/00 ,  C22C9/00 ,  C22C19/07 ,  C22C45/02 ,  C22C45/10

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/00 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C19/07 ,  C22C21/10 ,  C22C45/02 ,  C22C45/10 ,  C22F1/053

Abstract: 本发明涉及一种具有平均结晶尺寸为1nm～50nm的组织的烧结体溅射靶，特别是由3元系以上的合金组成，以从Zr、Pd、Cu、Co、Fe、Ti、Mg、Sr、Y、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、稀土类金属中选择的至少一种元素作为主要成分的烧结体溅射靶。通过烧结喷雾粉制造该靶。能够代替结晶组织粗糙，且通过成本高的把溶融金属粹火得到的块状金属玻璃，提供具有通过烧结法得到的高密度的极其微细且均匀的组织的靶。

公开(公告)号：CN101061252A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580039078.3

申请日：2005-11-04

Applicant: 日矿金属株式会社 ,  东北大学

Inventor： 中村笃志 ,  矢作政隆 ,  井上明久 ,  木村久道 ,  山浦真一

IPC: C23C14/34 ,  B22F9/08 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B01D67/0072 ,  B01D71/022 ,  B01D2325/04 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C01B3/503 ,  C01B3/505 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C45/001 ,  C22C45/003 ,  C22C45/02 ,  C22C45/04 ,  C22C45/10 ,  B22F9/082 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/11

Abstract: 本发明涉及一种用于制造金属玻璃膜的溅射靶，其特征在于，具有以选自Pd、Zr、Fe、Co、Cu、Ni中的至少一种以上的金属元素为主要成分(以原子％最多的成分)的3元系以上的组成，具有通过烧结平均粒径为50μm以下的喷雾粉得到的组织。本发明的课题在于，得到用于制造金属玻璃膜的溅射靶及其制造方法，能代替通过成本高的以往的熔融金属的淬火得到的块状金属玻璃，没有所制造的金属玻璃膜的缺陷和组成不均匀的问题，组织均匀，并且能以高效、低成本制造，而且结核和颗粒的发生少。

公开(公告)号：CN1295375C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02801944.X

申请日：2002-02-15

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢作政隆 ,  高见英生

IPC: C23C14/34 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/06 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716

Abstract: 本发明涉及用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶，由硫族化物与硅氧化物的复合体构成，其特征在于，当设在相对于溅射面的法线方向的-30°～+30°范围内的面上存在的硅氧化物的法线方向的平均长度为A，相对于该法线成垂直方向的平均长度为B时，至少在腐蚀部位中，用于形成相变化型光盘保护膜的溅射靶具有0.3≤A/B≤0.95的组织。获得由硫族化物和硅氧化物的复合体构成的溅射靶，其能够抑制结核，增加成膜的均一性，并提高生产率，且能够有效形成相变化型光盘保护膜，以及获得使用该靶形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体。

公开(公告)号：CN101208451B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680022785.6

申请日：2006-03-24

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  矢作政隆

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/547 ,  C04B35/453 ,  G11B7/26 ,  G11B7/257 ,  G11B7/254

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9646 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716 ,  Y02T50/67

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其中，以硫化锌与由氧化铟、氧化锌及其它三价阳性元素A构成的氧化物为主要成分，相对于全部构成成分的硫的比率为5至30重量％，XRD测定的立方晶系ZnS的(111)峰强度I1与六方晶系ZnS的(100)峰强度I2共存并且满足I1＞I2。本发明的目的在于提供在靶制造时或者通过溅射形成膜时可以防止靶破裂的高强度溅射靶及其制造方法，以及得到最适合作为保护膜使用的光信息记录介质用薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN101042903B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710086279.X

申请日：2002-12-05

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢作政隆 ,  新藤裕一朗 ,  高见英生

IPC: G11B7/26 ,  G11B7/24 ,  C23C14/34

CPC classification number: G11B7/243 ,  C23C14/06 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明提供一种相变型存储器用溅射靶的制造方法，其特征在于溅射靶由至少三元体系的元素组成并以选自锑、碲和硒的一种或多种成分作为其主成分，以及相对于目标组成的组成偏差至多为±1.0at％。该相变型存储器用溅射靶能够尽可能减少引起重写次数减少的杂质，重写次数减少的原因是这些杂质在存储点和非存储点的界面附近偏析和浓缩；特别是，减少影响结晶化速度的杂质元素，减少靶相对于目标组成的组成偏差、以及通过抑制靶的组成偏析提高相变型存储器的重写特性和结晶化速度。

公开(公告)号：CN101688288A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021931.2

申请日：2008-06-13

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 生泽正克 ,  矢作政隆

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260℃以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260℃以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。

公开(公告)号：CN101650955A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910166726.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  植田和茂 ,  矢作政隆 ,  高见英生

IPC: G11B7/257 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/775 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  Y02T50/67 ,  Y10T428/12

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其特征在于，含有以满足下式的氧化锌为主要成分的化合物：A、B分别为不相同的3价及以上的阳性元素，其价数分别为Ka、Kb时，A X B Y O (KaX+KbY)/2 (ZnO) m ，1＜m，X≤m，0＜Y≤0.9，X+Y＝2，且相对密度为80％及以上。它是不含ZnS和SiO 2 的ZnO基体的溅射靶，能在通过溅射而形成膜时，减小对基板加热等的影响，高速成膜，能把膜厚调整得薄，还能减少溅射时产生的粒子(発麈)及球状夹杂物，减小质量的偏差，提高量产性，且结晶粒微小，能获得具有80％以上，特别是90％以上的高密度的溅射靶。