公开(公告)号：CN102192921A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047399.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 长谷部健彦 ,  加藤薰子 ,  山口欣秀 ,  西龟正志 ,  松岛直树 ,  稻田祯一 ,  山本礼 ,  天明浩之 ,  池田宇亨

IPC: G01N25/00 ,  H01L23/544 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  G01R31/2874 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言，本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠：由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种；以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板，且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接，将金属配线膜(102)与电源电连接，提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。

公开(公告)号：CN102192921B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110047399.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 长谷部健彦 ,  加藤薰子 ,  山口欣秀 ,  西龟正志 ,  松岛直树 ,  稻田祯一 ,  山本礼 ,  天明浩之 ,  池田宇亨

IPC: G01N25/00 ,  H01L23/544 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  G01R31/2874 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言，本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠：由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种；以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板，且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接，将金属配线膜(102)与电源电连接，提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。