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公开(公告)号:CN103109353B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180034409.X
申请日:2011-07-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的在于,抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备:基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层,粘接剂层的平面形状为圆形,粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小,粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小,粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
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公开(公告)号:CN103109353A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180034409.X
申请日:2011-07-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的在于,抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备:基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层,粘接剂层的平面形状为圆形,粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小,粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小,粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
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公开(公告)号:CN103155109B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201180048659.9
申请日:2011-10-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00
Abstract: 在晶圆加工用胶带(1)中,与对晶圆环(14)的粘贴区域(P)对应地、以从基材膜(5)侧起到达剥离基材(2)的深度形成有俯视时朝向粘接剂层(3)中心侧的半圆状或者舌片状的切口部(11)。通过切口部(11)的形成,在剥离力作用于晶圆加工用胶带(1)时,在粘着剂层(4)以及基材膜(5)中比切口部(11)更靠外侧的部分先剥离,比切口部(11)更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环(14)上。由此,能够提高晶圆加工用胶带(1)与晶圆环(14)之间的剥离强度,并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带(1)从晶圆环(14)剥离。
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公开(公告)号:CN102471648B
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201080031563.7
申请日:2010-07-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: C09J7/0239 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , Y10T156/108 , Y10T156/1082 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T428/265 , Y10T428/28
Abstract: 本发明提供一种粘接片的制造方法,所述粘接片具备长条状的剥离基材(1)和在该剥离基材(1)上以岛状配置的粘结剂层(2),所述粘接片的制造方法具有剥离工序,所述剥离工序是在剥离基材(1)上层叠长条状的粘结剂层(2)后,按照该粘结剂层(2)的规定部分以岛状残留于剥离基材(1)上的方式,将该粘结剂层(2)的不需要的部分(6)剥离,在剥离工序中,按照窄幅部(8)的抗断强度达到200g以上的方式来调整窄幅部(8)的宽度W,所述窄幅部是粘结剂层(2)的不需要的部分(6)的短边方向的宽度最窄的部分。
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公开(公告)号:CN103155109A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048659.9
申请日:2011-10-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00
Abstract: 在晶圆加工用胶带(1)中,与对晶圆环(14)的粘贴区域(P)对应地、以从基材膜(5)侧起到达剥离基材(2)的深度形成有俯视时朝向粘接剂层(3)中心侧的半圆状或者舌片状的切口部(11)。通过切口部(11)的形成,在剥离力作用于晶圆加工用胶带(1)时,在粘着剂层(4)以及基材膜(5)中比切口部(11)更靠外侧的部分先剥离,比切口部(11)更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环(14)上。由此,能够提高晶圆加工用胶带(1)与晶圆环(14)之间的剥离强度,并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带(1)从晶圆环(14)剥离。
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