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公开(公告)号：CN104412369B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380033462.7
申请日：2013-06-26
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J179/08 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J179/08 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。
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公开(公告)号：CN102169817B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110060486.4
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
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公开(公告)号：CN103155109A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048659.9
申请日：2011-10-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00
Abstract: 在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。
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公开(公告)号：CN103155109B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201180048659.9
申请日：2011-10-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00
Abstract: 在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。
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公开(公告)号：CN102190978B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110060453.X
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的粘接片为按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110785451A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880036334.0
申请日：2018-05-31
Abstract: 一种密封用液状树脂组合物，其包含(A)脂肪族环氧化合物、(B)分子中具有芳香环的环氧化合物、(C)含氮杂环化合物和(D)无机填充剂，上述(D)无机填充剂的含有率为77质量％以上。
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公开(公告)号：CN110770275A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880036087.4
申请日：2018-05-31
Abstract: 一种压缩成型用液状树脂组合物，其包含(A)脂肪族环氧化合物、(B)分子中具有芳香环的环氧化合物、(C)含氮杂环化合物和(D)无机填充剂。
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公开(公告)号：CN103109353B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180034409.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
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公开(公告)号：CN102176407B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110060467.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
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公开(公告)号：CN104412369A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033462.7
申请日：2013-06-26
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J179/08 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J179/08 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。
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